da
DrCox » 4 lug 2019, 17:13
La resistenza di uscita del MOSFET la puoi ricavare molto semplicemente calcolando, partendo dall'espresione della corrente nel regime di funzionamento che ti interessa (in questo caso in saturazione):
![r_0 = \left[\frac{\partial I_{DS}}{\partial V_{DS}}\right]^{-1} r_0 = \left[\frac{\partial I_{DS}}{\partial V_{DS}}\right]^{-1}](/forum/latexrender/pictures/fc74d8f86317568946ae643ba33c8a00.png)
Ricordando che l'equazione della corrente del MOSFET saturo è pari a:

ti rendi facilmente conto che la resistenza di uscita risulta essere pari a

ovvero è funzione del parametro

, che descrive la modulazione della lunghezza di canale.
Per tensione

nulla, la tensione che applichi al gate crea un canale uniforme nel dispositivo:
Se applichi una tensione diversa da zero, invece, il profilo delle bande cambia e di fatto ottieni un assottigliamento del canale vicino al drain:
Ora, il parametro

è specifico per un determinato processo produttivo e per un determinato transistore. Dal grafico qui sopra ti renderai facilmente conto di come queste variazioni del canale avvengano lungo la direzione del trasporto, quindi in direzione

, mentre la cross-section

resta inalterata.
Per questo motivo può essere comodo tirare fuori la dipendenza da

dal parametro

. Ecco spiegato cosa rappresenta quel termine.