Resistance-reflection rule

[barrow]

Ho potuto constatare che a volte, su forum specializzati o su note di corsi universitari, si fa ricorso alla "resistance-reflection rule" per i transistor BJT.
Da ricerche sul Web, ho anche constato che tale regola è prevalentemente utilizzata da chi segue gli insegnamenti "tipici" del Sedra-Smith, mentre in altri testi sacri essa non è nemmeno citata come tale (anche se utilizzata).

Mi ricordo che una regola analoga (oserei dire, persino uguale nella forma) veniva applicata nel caso degli amplificatori a doppio carico (Split-load amplifier) a FET, quando conveniva spostare la resistenza di source sul drain (e viceversa), ma mai applicata per i BJT, forse perché appartenendo io alla vecchia scuola dei parametri h, tale regola non era molto agevole nella sua applicazione...

Fatte queste premesse, veniamo ai miei dubbi/domande :

1)-La "resistance-reflection rule" è effettivamente una "fisima degli aficionados" alla scuola Sedra-Smith, oppure essa ha validità piuttosto generale - essendo propria della tecnica dei modelli sui circuiti equivalenti - cioè applicabile sia a componenti comandati in tensione, sia a componenti comandati in corrente?
2)- Se così fosse, non mi spiego come mai sul Sedra-Smith essa viene estesamente utilizzata per i BJT, ma mai per circuiti amplificatori a FET.
Ci sono delle limitazioni/vincoli/convenienze sul suo utilizzo, per cui converrebbe per i BJT, ma non per i FET? E in quali casi?
Attualmente ho l'impressione che essa rappresenti solo una modalità che aiuta a semplificare la vita e quindi da utilizzare solo quando serve effettivamente, ma non come regola generale...

O sbaglio ?!?!