Regolatore di potenza
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g.schgor,
IsidoroKZ
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Sì buck, boost, buckboost invertente, e configurazione di cuk le conosco, anche flyback e forward, però finché si lavora sotto i 100V è un conto, a 300V della rete raddrizzata avevo capito che i mosfet non lavorano più bene ma non so il perché, avevo sentito dire che la Rds on cresce col potenziale e quindi le dissipazioni diventano ingestibili e si perde in efficienza ma da quando ho iniziato questo post mi state facendo capire che forse non è del tutto esatto e allora mi chiedo, non ho scampo? devo studiarmi la struttura interna dei mosfet per capire come si combinano i loro parametri? Questa famosa e infida Rds on, leggendo in questi ultimi 2 giorni un po' di datasheet,vedo che in modelli da 500V e una ventina di ampere si aggira tra i 390mohm e i 150mohm, ma questo valore è il massimo valore che raggiunge in stato on nei casi più estremi di potenziale che sostiene? Cioè il valore che indicano sul datasheet considerando di polarizzare per bene il gate, rappresenta il massimo della resistenza che il mosfet impone ad ogni potenziale?
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Baronexeno
15 3 - Messaggi: 27
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Ho aperto adesso i tuoi link e ho visto che son le lezioni di un corso universitario, mi interessano ma provando ad andar sul link mi rimanda a una pagina di dropbox che mi dice che non li trova
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Baronexeno
15 3 - Messaggi: 27
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Rettifico, ne manca qualcuno e su altri drop box fa le bizze(la prima volta mi dice che non li trova, riapro la pagina e ci sono), li sto scaricando
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Baronexeno
15 3 - Messaggi: 27
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Per quanto ne so io (ma qualcuno qui sicuramente potrà correggermi) ci sono MOSFET per tensioni alte (>600 V) che hanno perdite minori rispetto a molti IGBT, ma tendenzialmente hanno costi maggiori rispetto agli IGBT.
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SandroCalligaro
2.970 2 4 5 - G.Master EY

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