da
jethro107 » 20 dic 2007, 13:52
g.schgor ha scritto:Vedo che non mi sono spiegato: allora vuoi mandarmi mandarmi lo schema
con lo stadio passa-basso che utilizzi?

Tutti i valori utilizzati in fase di simulazione sono ripostati in figura ad eccezione del modello del diodo il quale è uno schottky BAT62 (Siemens-Infineon)
I segnali per essere in regione di quadratura del diodo devo essere di piccola ampiezza(compresa tra i -20 e i -60dbm, quest’ultimo valore dato dalla presenza del rumore). Pertanto in ingresso ho scelto un seno a 6GHz di ampiezza 0.01V.
La corrente di polarizzazione I1 è stata scelta di 20 uA è stata scelta in modo da diminuire la resistenza di giunzione(da 215 kohm fino a circa 1000 Ohm) e rendere quindi migliori le performance del circuito evitando grosse attenuazioni.
Ti allego netist e risposte

Con V(1) mi riferisco all'ingresso, V(2)l'uscita e I(D1) la corrente sul diodo che come si vede non risulta quadrata ma risulta solo "alzata" dalla corrente di polarizzazione.
biased detector.cir
*Esempio di curva I-V
.probe
.model BAT62/SIE D(IS=120N RS=200 N=1.04 XTI=1.8 EG=.68
+ CJO=.35P M=.14 VJ=.4 FC=.5 BV=40 IBV=5U TT=25P)
Vd 1 0 sin(0 0.01V 6GHz)
RS 1 0 50Ohm
D1 1 2 BAT62/SIE
Ibias 2 0 20uA
RL 2 0 100kOhm
CL 2 0 10pF
.TRAN 0 10NS
.PLOT TRAN V(1)
.end
Grazie della pazienza
ciao ciao