cito una parte senza ripetere tutto il post:
Lo posto con la preghiera per i lettori di concentrarsi ai difetti progettuali inerenti alla problematica del PWM/buffer/mosfet dei blocchi N2 - N4 - N7 rappresentata nel post [202] ed a eventuali consigli/correzioni o meglio ancora delucidazioni, se possibile, sull'accaduto.
Il resto dei blocchi sono stati accantonati per il momento, quindi vanno sicuramente rivisti sia circuitalemtne che idealmente, però siccome ho apportato delle modifiche nella sezione di interesse, ho ripostato il solo schema "generale" che avevo a disposizione per il momento forzando a tenere per il momento l'attenzione sul fatto accaduto nei blocchi sopraccitati.
Per il discorso del buffer a BJT, in teoria, già dall'inizio con diversi partecipanti era saltato fuori che probabilmente non serviva per questeste potenze e forse nemmeno i driver tipici dedicati di cui si è parlato a inizio thread all'incirca. Io ho voluto insistere fare per una mia cruccia personale, perché mi piaceva che si potesse gestire con dei semplici BJT in PP lo stadio di potenza e allegerire del lavoro il 3525 che con qualche aggiustamento devo dire che nei vari test precedenti ha funzionato anche molto bene. Il discorso dei driver dedicati, lo sto riconsiderando eventualmente sullo stadio finale di ricostruzione dell'onda dove ci sarà un altro 3525 per creare la 50 Hz e appunto il ponte H..... ma c'è ancora tempo per arrivare liggiù...
Il fatto del resistore da 1 Ohm, praticamente, è uscito fuori in fase di primi test perché con quello da 150R proprio non voleva sentirne ad avviarsi il PWM. Alla fine, mettendo in corto quel collegamento ho visto che si avviava regolarmente ( forse disturbi/problemi del cablaggio su 1000 fori???..... non saprei ). Comunque, per non lasciare proprio il corto secco ho pensato di mettere un resistore da 1 Ohm.
Il dead time di questo integrato, per sua costruzione non può scendere sotto i 400-500 ns ( a seconda del costruttore... ma dovremmo essere li ) indipendentemente se il valore di Rd sul calcolo teorico viene più basso.
A questo punto mi verrebbe da pensare di tornare alle Rg da 10R e aumentare un po' il dead time e vedere se con correnti superiori, come le ultime di circa una 15ina di Ampere il buffer resta a temperature decenti. Stavo riflettendo che a livello teorico, una volta impostato il DT, non dovrebbe cambiare.
Nella pratica, invece, potrebbe accadere che sotto carico più pesante, il DT "sembra" come si accorci leggermente ( soprattutto se è al limite nel mio caso ). Le correnti più alte in gioco potrebbero portare spegnimenti più lenti dei mosfet e quindi sovrapposizioni

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