Salve,
Volevo sapere, se ad un mosfet ad arricchimento con canale n,applico tensione nulla fra il gate e il source,ma tensione elevata fra il source ed il drain,c'è la possibilità di formare un passaggio di corrente di diffusione,magari formando in questo modo un piccolo canale, o è decisamente necessaria la tensione sul gate affinchè il canale si formi?
Grazie
Mosfet
Moderatori:
carloc,
g.schgor,
BrunoValente,
IsidoroKZ
2 messaggi
• Pagina 1 di 1
0
voti
[2] Re: Mosfet
Se Vgs=0 e Vds >0, hai la giunzione drain (tipo N), regione di gate (P) polarizzata inversamente per cui a meno della corrente inversa di saturazione ( di Drift), la corrente Ids vale 0A.
Se Vds<0 hai sempre una giunione pol. inv.
Con una Vds elevata si verifica lo strozzamento della zona di Drain e quindi una Id in saturazione, ma Vgs deve essere > della tensione di soglia del MOS - 2, 3 volt.
Se Vds<0 hai sempre una giunione pol. inv.
Con una Vds elevata si verifica lo strozzamento della zona di Drain e quindi una Id in saturazione, ma Vgs deve essere > della tensione di soglia del MOS - 2, 3 volt.
2 messaggi
• Pagina 1 di 1
Chi c’è in linea
Visitano il forum: Nessuno e 82 ospiti

Elettrotecnica e non solo (admin)
Un gatto tra gli elettroni (IsidoroKZ)
Esperienza e simulazioni (g.schgor)
Moleskine di un idraulico (RenzoDF)
Il Blog di ElectroYou (webmaster)
Idee microcontrollate (TardoFreak)
PICcoli grandi PICMicro (Paolino)
Il blog elettrico di carloc (carloc)
DirtEYblooog (dirtydeeds)
Di tutto... un po' (jordan20)
AK47 (lillo)
Esperienze elettroniche (marco438)
Telecomunicazioni musicali (clavicordo)
Automazione ed Elettronica (gustavo)
Direttive per la sicurezza (ErnestoCappelletti)
EYnfo dall'Alaska (mir)
Apriamo il quadro! (attilio)
H7-25 (asdf)
Passione Elettrica (massimob)
Elettroni a spasso (guidob)
Bloguerra (guerra)

