Bene, ora con un po' di dati possiamo ragionare meglio... anche se ci vorrebbe ancora una cosetta, il datasheet o comunque le informazioni dettagliate relative al diodo IR... supponendo ancora una volta che il valore della resistenza in serie al diodo sia 2 ohm e considerando 0.5v la somma delle tensioni di VceSat dei BJT, il calcolo è:
(5v - 2.5v - 0.5v ) / 2 ohm = 1A ... e non 0.8A

e direi che 200mA non sono trascurabili così facilmente in questa applicazione...
Se il transistor P ha una corrente massima di 0.2A (cioè di 200mA) e tu ce ne fai scorrere 0.8A... lo fai arrosto

poi c'è il 337 che, ammesso che non lo fai arrosto, di sicuro lo fai sudare parecchio.
Se non puoi cambiare il transistor P (e magari anche quello N) devi ridurre la corrente che attraversa il diodo fino a 100mA (ad esempio), ricalcolandoti la resistenza in serie
Se invece puoi sostituirli, e necessiti di 1A sul diodo... la resistenza da 2ohm può ancora andar bene, anche se dovresti valutare meglio le tensioni di VceSat dei BJT. Una valida alternativa potrebbe essere il BD137 per l'N e il BD238 per il P, ma ne esistono molti altri e questi sono i primi che mi sono saltati in mente perché sono diffusissimi (anche se un po' anzianetti ma fanno bene il loro dovere), li trovi anche dal macellaio
Potresti valutare invece di passare ad una soluzione che impiega mosfet, molto più "freddi"... poi da quel che posso immaginare dallo schema, ti serve il pilotaggio del diodo IR con una frequenza di 36kHz e un "comando" di abilitazione o disabilitazione... pensadoci magari puoi fare qualcosa che implementa la stessa cosa in maniera più semplice (togliendo il P ad esempio), sempre che ho supposto correttamente sopra...
