Traduzione testo inglese-italiano

[Francescof480]

Altro pezzo

"Tri-Gate transistors down to 30nm were fabricated in the following manner. To get body widths of the same approx. size as the polysilicon gate, the body was first fabricated by treating it in a similar manner to polysilicon, using aggressive poly-silicon lithography and etch techniques to get body thicknesses equal to gate lengths. The body was then doped to obtain acceptable threshold voltages (Vt) using conventional boron implants. No halo implants were used for setting Vt, nor were there any angled implants used anywhere in the process. This is in contrast to Double-Gate (DG), and this is possible since the Tri-Gate very much resembles bulk transistor from the processing point-of-view. However, to get the right Vt’s, it was found necessary to protect the Tri-Gate bodies from boron outdiffusion into the surrounding oxide by an N2O oxidation before gate definition. The gate stack included polysilicon gates, and a conventional physical oxide thickness of 15 Angstroms. Raised source/drains were used to reduce parasitic resistances [2], and the transistor was silicided using nickel."


In grassetto il pezzo che non capisco.

[Giovepluvio]

Allora vediamo:

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Per ottenere per la larghezza del body approssimativamente la stessa dimensione del gate di polisilicio il body stesso era inizialmente fabbricato trattandolo in maniera simile al polisilicio, utilizzando tecniche di litografia aggressiva nei confronti del polisilicio e di etching per ottenere lo spessore del body pari alla lunghezza del gate.
Dopo di ciò il body veniva drogato per ottenere una tensione di soglia (Vt) accettabile utilizzando l'impianto di boro secondo la tecnica convenzionale. Per definire Vt non vengono usati halo implants (drogaggio non uniforme) e non vi è neppure alcun angled implants (tecnica di impianto ionico) utilizzato nel processo.
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Più o meno dovremmo esserci.

[Francescof480]

Grazie, grazie,grazie! :)