Cercando online delle risposte riguardanti l'argomento del titolo ho trovato di tutto e di più...risposte su alcuni forum non proprio precise(va beh ci può anche stare),guide ufficiali da parte di produttori di semiconduttori che sfioravano l'argomento, così alla fine sono finito qui grazie ad un articolo di un vostro utente Ste75 che trovate qui :http://www.electroyou.it/ste75/wiki/calcolo-switching-loss-mosfet-con-carico-resistivo.
Ho trovato l'articolo interessante e sono qui per chiedere il vostro aiuto riguardo ai calcoli proposti appunto nell'articolo che parla delle perdite di un mosfet con carico resistivo durante le fasi di commutazione del mosfet grazie ad un segnale di pilotaggio applicato al gate(classico PWM applicato al gate, per esempio).
Innanzitutto aggiungo un link ad un mosfet che vorrei usare come riferimento per effettuare i calcoli; il mosfet e' questo qui : http://www.aosmd.com/res/data_sheets/AO3402.pdf.
i valori delle grandezze in esame esterne al mosfet e riferite all'articolo sono:
: segnale PWM con ampiezza da 0 a 5 volt con frequenza 10KHz e duty cycle variabile.
: 800 mA
:
(Ah NON consideriamo quella quella interna tipica di
..facciamo finta che questa sia 0)
: 5 voltAllora essendo il mosfet pilotato con un segnale PWM oltre alla potenza statica; che vale
che con una
di
mi risulta uguale a
; e' presente anche la potenza dinamica o di switching che e' appunto quella spiegata nell'articolo.Facendo un po di calcoli basandomi sul mosfet linkato mi risulta
e
e' possibile che siano così basse? O ho sbagliato qualcosa?ringrazio in anticipo chiunque mi aiuti
Ciao!

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e
rispettivamente 

mi era venuta un po più alta ma solo perché avevo considerato il caso peggiore cioè 25 pF.
= 73uWe
?
errata (ho utilizzato 2V è corretto?)



(sia per OFF che per ON)