secondo me dani, spiegaci come vorresti inserire il MOS nel circuito, perché vedo che non solo io,ma anche Bruno non ha capito.
Lo vorresti inserire in serie o in parallelo al carico ?
Se lo vuoi inserire in serie, il problema della dissipazione permane come ti ha spiegato Bruno.
se pensi di metterlo in parallelo, per dissipare la corrente in eccesso quando la tensione è troppo alta per arrivare all' ingresso dell' inverter ( il che significa che il carico in quel momento assorbe poco ), in modo così che la tensione ai capi dell' inverter si mantenga nei limiti massimi di 28 V, la cosa è molto più complicata, perché minimo dovresti inserire un condensatore in parallelo all' ingresso dell' inverter e scaricarlo a impulsi mantenendo così costante la tensione ai suoi capi. Questo ragionamento è di principio, mentre per implementarlo, la cosa in pratica è molto più complessa.
In questo caso, è vero che il mosfet dissiperebbe poco, ma trasleresti il problema della dissipazione sul generatore magnetico che dissiperebbe la potenza in eccesso nella sua resistenza di uscita interna ( perché, ovviamente lì passerebbe in ogni caso tutta la corrente disponibile ).
questa potenza che il generatore ha in eccesso quando non viene richiesta dal carico, deve essere dissipata o accumulata. Solamente quando il circuito è aperto non c'è dissipazione di potenza, ma la tensione si alza al valore massimo, negli altri casi bisogna dissipare perché se circola corrente ci sarà sempre anche un prodotto VxI ( oppure RxI^2 ) che non sarà quello sul carico
Potresti usare un un alimentatore switching come consigliato anche da Bruno, ma anche qui, penso avresti problemi, perché,come hai spiegato , al tensione in ingresso ( quando il carico assorbe tanto ) è minore o uguale di quella che ti serve, perciò con uno step down avresti problemi, ma avresti problemi anche con uno step up perché quando al potenza non c'è ,,non c'è.
allora dovresti accumulare l' energia in più in una batteria , magari a 12 V e poi usare uno step-up
Mi scuso per la lunghezza del post e spero di aver detto cose giuste, perché sono solo un hobbista con poche conoscenze :)
Secondo me lo zener resta la soluzione con minore danno ..
Poi senti pure persone molto più capaci di me :)
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IsidoroKZ
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Grazie a tutti per le risposte.
La soluzione switching (per esempio con un LT1070) l'ho considerata, ma non ho il dispositivo e, dato che è una sistema per mio diletto, per ora vorrei farne a meno.
Vi aggiorno sui progressi: ho realizzato la struttura con un Pmos e un "pilotaggio manuale"
Correggetemi dove sbaglio nell'interpretare la situazione:
Un Nmos ha 2 regioni di funzionamento:
- off (Vgs<Vt) con Vt tensione di soglia, la corrente di drain Id=0
- regione di saturazione (Vt<Vgs<Vds+Vt): il transistor ha una tensione Vds non trascurabile, il canale presenta un restringimento nella regione di drain
- regione lineare, triodo (Vgs>Vds+Vt): il canale è completamente formato e il mosfet ha un comportamento resistivo. In questa situazione è possibile avere una resistenza di canale bassissima.
Nel caso di un pmos basta invertire tutti i pedici (per esempio Vds diventa Vsd).
Nel mio caso (uso un Pmos) mantengo Vsg elevata (regione lineare, bassa resistenza di canale) fintanto che Vs non raggiunge il valore critico di 28V, il quel momento inizio ad alzare Vg (diminuendo quindi Vsg): in questo modo cambio regione di funzionamento e "obbligo" il dispositivo a passare al funzionamento in saturazione, Vsd aumenta e mi elimina la tenisone in eccesso.
Conclusioni: Il tutto funziona teoricamente, tuttavia se la corrente assorbita dal carico si abbassa molto è quasi impossibile portare il dispositivo in saturazione senza spegnerlo (si tratta centinaia di milli volt, un valore comparabile con la tolleranza sulla tensione di soglia Vt). Di conseguenza si può controllare Vs fino a quando rimane sotto i 30V.
Per la soluzione con lo zener devo aspettare di comprare uno zener da 10W 28V.
La soluzione switching (per esempio con un LT1070) l'ho considerata, ma non ho il dispositivo e, dato che è una sistema per mio diletto, per ora vorrei farne a meno.
Vi aggiorno sui progressi: ho realizzato la struttura con un Pmos e un "pilotaggio manuale"
Correggetemi dove sbaglio nell'interpretare la situazione:
Un Nmos ha 2 regioni di funzionamento:
- off (Vgs<Vt) con Vt tensione di soglia, la corrente di drain Id=0
- regione di saturazione (Vt<Vgs<Vds+Vt): il transistor ha una tensione Vds non trascurabile, il canale presenta un restringimento nella regione di drain
- regione lineare, triodo (Vgs>Vds+Vt): il canale è completamente formato e il mosfet ha un comportamento resistivo. In questa situazione è possibile avere una resistenza di canale bassissima.
Nel caso di un pmos basta invertire tutti i pedici (per esempio Vds diventa Vsd).
Nel mio caso (uso un Pmos) mantengo Vsg elevata (regione lineare, bassa resistenza di canale) fintanto che Vs non raggiunge il valore critico di 28V, il quel momento inizio ad alzare Vg (diminuendo quindi Vsg): in questo modo cambio regione di funzionamento e "obbligo" il dispositivo a passare al funzionamento in saturazione, Vsd aumenta e mi elimina la tenisone in eccesso.
Conclusioni: Il tutto funziona teoricamente, tuttavia se la corrente assorbita dal carico si abbassa molto è quasi impossibile portare il dispositivo in saturazione senza spegnerlo (si tratta centinaia di milli volt, un valore comparabile con la tolleranza sulla tensione di soglia Vt). Di conseguenza si può controllare Vs fino a quando rimane sotto i 30V.
Per la soluzione con lo zener devo aspettare di comprare uno zener da 10W 28V.
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dani6 ha scritto:... Conclusioni: Il tutto funziona teoricamente ...
Oibò, sei proprio sicuro?
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dani6 ha scritto:... "obbligo" il dispositivo a passare al funzionamento in saturazione, Vsd aumenta e mi elimina la tenisone in eccesso...
Questa, per esempio, è una contraddizione. Andare in saturazione significa, detto in soldoni, diminuire fortemente la Vsd (o Vds è lo stesso), cioè idealmente portarla a zero.
Quindi se satura la Vds non aumenta (in valore assoluto) ma tende a zero.
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Sei del tutto in errore: la regione di saturazione in un mosfet non è quella che intendi tu. Tutti i testi di elettronica sono allineati sul definire la regione di saturazione come quella in cui il canale non è completamente formato nella regione di drain Vds>Vgs-Vt
http://www.iet.unipi.it/p.bagnoli/eaa/transistore-mos1.pdf Pagina 21
La saturazione di cui parli tu è relativa al BJT.
http://www.iet.unipi.it/p.bagnoli/eaa/transistore-mos1.pdf Pagina 21
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Ora capisco con chi sto parlando.
Hai ragione tu, vai avanti tranquillo con il tuo progetto. Funzionerà sicuramente.

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La tua e' la reazione classica di chi non sa come argomentare la sua opinione...
Sei sicuro di quello che sostieni?
Andare in saturazione significa, detto in soldoni, diminuire fortemente la Vsd (o Vds è lo stesso), cioè idealmente portarla a zero.
Sei sicuro di quello che sostieni?
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Lasciamo perdere queste sottigliezze accademiche. Sono due pagine di post che ti dicono che sei fuori strada. Hai un chiodo fisso piantato sul MOS, perché lo avrai studiato a menadito e, non vedi le cose più banali del problema: il funzionamento dell'insieme nel suo complesso.
Non tirartela perché conosci bene, (nessuno ti dice che non deve essere così), il mosfet. Però stai guardando solo alla prima curva, di una lunghissima strada, e di travi da togliere dagli occhi ce ne sono ancora molte.
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Candy
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Hai ragione, tuttavia io ho proposto molto strade che percorrero' appena avro' i dispositivi. Quella del MOS e' una cosa che volevo provare per verificarne il funzionamento, non sto lavorando, mi sto divertendo con l'elettronica (cerco di dimostrare quelli che sono i miei ragionamenti).
Sul MOS discorso chiuso da parte mia, non e' possibile avere un pilotaggio cosi' fine (senza una retroazione).
Si discute e si propongono soluzioni, ma se si scrive "nero su bianco" un concetto sbagliato non e' corretto rispondere in modo sarcastico.
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