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Associazione convenzionale di stati logici in memorie EPROM

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[1] Associazione convenzionale di stati logici in memorie EPROM

Messaggioda Foto UtenteVexx23 » 7 lug 2015, 14:51

Buongiorno a tutti sono un utente nuovo del forum (che mi è stato consigliato da un amico :ok:), ho aperto questo topic per discutere della logica che sta dietro l'associazione tra proprietà elettriche del MOSFET in una cella di memoria ROM programmabile elettricamente (EPROM, EEPROM e eventualmente FLASH, con le opportune distinzioni) e stato logico alto/basso, o più correttamente, 1/0.
Mi spiego meglio, facendo riferimento per semplicità ad una locazione di EPROM, costituita da un MOSFET FAMOS con floating gate e control gate: utilizzando l'iniezione di elettroni 'caldi' (effetto valanga) si riempie il gate flottante di carica negativa che andrà a schermare un eventuale tensione applicata al gate di controllo; anche se selezionato pertanto il transistor non riuscirà ad 'accendersi', ostacolando il passaggio di corrente: a questa condizione di mosfet inattivo/spento e di circuito aperto è associato lo stato logico '0' come ''assenza di corrente''. Per complementarità l'1 logico è invece associato al passaggio di corrente (corto circuito idealmente tra Drain e Source).
Esiste una ragione elettrica (quindi non una semplice convenzione arbitraria) che giustifichi questo 'ribaltamento' di orizzonti (dal momento che in generale l'1 è associato ad una tensione alta e ad non-passaggio di corrente mentre lo 0 è associato al corto circuito e al passaggio di corrente)?
Quale soluzione circuitale garantisce che questo livello logico in corrente venga opportunamente convertito in un livello di tensione adeguato per i circuiti digitali che si interfacciano con tale memoria?
Grazie a tutti per l'attenzione! :D
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[2] Re: Associazione convenzionale di stati logici in memorie EP

Messaggioda Foto UtenteIsidoroKZ » 11 lug 2015, 23:51

Non mi vengono in mente delle ragioni elettriche per questa scelta. Del resto la mappatura 0/1 in H/L puo` essere fatta come si vuole, anche se quasi sempre si associa 1 ad H.

Probabilmente nelle prime eprom era piu` semplice questa scelta, anche solo evitare una inversione poteva far risparmiare un po' di tempo. Se mi ricordo, la settimana prossima mi informo!
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[3] Re: Associazione convenzionale di stati logici in memorie EP

Messaggioda Foto UtenteVexx23 » 13 dic 2015, 14:13

IsidoroKZ ha scritto:Non mi vengono in mente delle ragioni elettriche per questa scelta. Del resto la mappatura 0/1 in H/L puo` essere fatta come si vuole, anche se quasi sempre si associa 1 ad H. <br abp="877"><br abp="878">Probabilmente nelle prime eprom era piu` semplice questa scelta, anche solo evitare una inversione poteva far risparmiare un po' di tempo. Se mi ricordo, la settimana prossima mi informo!

Ti ringrazio per la risposta, e mi scuso per non aver risposto in tempi ragionevoli, ma qualcosa nel sistema delle notifiche non ha funzionato, perché il contatore è rimasto a 0 tutte le volte che ho controllato.
Probabilmente è frutto di una comodità come dici tu, aspetto tue notizie, sperando che l'argomento possa interessare ancora. O_/
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