), ho aperto questo topic per discutere della logica che sta dietro l'associazione tra proprietà elettriche del MOSFET in una cella di memoria ROM programmabile elettricamente (EPROM, EEPROM e eventualmente FLASH, con le opportune distinzioni) e stato logico alto/basso, o più correttamente, 1/0.Mi spiego meglio, facendo riferimento per semplicità ad una locazione di EPROM, costituita da un MOSFET FAMOS con floating gate e control gate: utilizzando l'iniezione di elettroni 'caldi' (effetto valanga) si riempie il gate flottante di carica negativa che andrà a schermare un eventuale tensione applicata al gate di controllo; anche se selezionato pertanto il transistor non riuscirà ad 'accendersi', ostacolando il passaggio di corrente: a questa condizione di mosfet inattivo/spento e di circuito aperto è associato lo stato logico '0' come ''assenza di corrente''. Per complementarità l'1 logico è invece associato al passaggio di corrente (corto circuito idealmente tra Drain e Source).
Esiste una ragione elettrica (quindi non una semplice convenzione arbitraria) che giustifichi questo 'ribaltamento' di orizzonti (dal momento che in generale l'1 è associato ad una tensione alta e ad non-passaggio di corrente mentre lo 0 è associato al corto circuito e al passaggio di corrente)?
Quale soluzione circuitale garantisce che questo livello logico in corrente venga opportunamente convertito in un livello di tensione adeguato per i circuiti digitali che si interfacciano con tale memoria?
Grazie a tutti per l'attenzione!

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