Sul MOSFET a canale n

Messaggioda **poseidon81** » 31 gen 2009, 19:49

salve a tutti

l'equazione che descrive la corrente nella zone di saturazione in un mosfet a canale n è la seguente:

Ids = k(Vgs - Vth)^2 dove Vgs è la tensione tra gate e source e Vth è la tensione di attivazione. Mi domandavo... cosa è k?

Messaggioda **poseidon81** » 31 gen 2009, 21:10

chi cerca trova! mi rispondo da solo... k è un nparametro che dipende dalla mobilità degli elettroni nel canale, dalal capacità dello strato di ossido sotto il gate e dal rapporto tra la profondità e lunghezza del canale.

Messaggioda **RenzoDF** » 31 gen 2009, 21:25

$I_{DS,Max}=\frac{\mu _{n}C_{OX}W}{2L}(V_{GS}-V_{Tn})^{2}$

$\mu _{n}$ mobilita' elettroni canale
$C_{OX}$ capacita' ossido di gate
W larghezza e L lunghezza regione gate

Messaggioda **poseidon81** » 31 gen 2009, 23:34

grazie renzo. però nella formula che ho io, ho solo k senza il 2. Me la devo ricordare con o senza il numero 2?

Messaggioda **RenzoDF** » 1 feb 2009, 0:54

Molto probabilmente il tuo k conterra' anche il 2 no?

La formula che ti ho inviato, e anche la tua, vale solo per la corrente massima (e solo approssimativamente) per la zona di saturazione .

La corrente come funzione di VDS e' invece questa di tutta la caratteristica e' invece la seguente

$I_{DS}=\mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}\left[ (V_{GS}-V_{Tn})V_{DS}-\frac{V_{DS}^{2}}{2} \right]$

dalla quale derivando

$\frac{\partial I_{DS}}{\partial V_{DS}}=0\to \mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}\left[ (V_{GS}-V_{Tn})-V_{DS} \right]=0$

troviamo un massimo per

$V_{DS}=V_{GS}-V_{Tn}$

sostituenda nella prima formula otteniamo

$I_{DSMax}=\mu _{n}C_{ox}\frac{W}{L}\left[ (V_{GS}-V_{Tn})(V_{GS}-V_{Tn})-\frac{(V_{GS}-V_{Tn})^{2}}{2} \right]$

e semplificando

$I_{DSMax}=\mu _{n}C_{ox}\frac{W}{2L}(V_{GS}-V_{Tn})^{2}$

RDF

o no :?:

Messaggioda **poseidon81** » 3 feb 2009, 10:09

renzoDF ha scritto:o no

ok perfetto, torna tutto =D>

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