Continuo a bruciare led. dovrei pilotare un array di 24 led

[claudiocedrone]

Nessun problema, io ne so meno di una capra ma a furia di frequentare EY ora sono un pochino meno ignorante di prima (spero); ad ogni modo si, "ridurre" la serie serve per avere un resistore di valore accettabile a garantire una regolazione.

[federino]

Si, penso che l'OP si sia reso conto di non poterne mettere 3 in serie, 2 al massimo.
Giusto federino

ma l'OP sono io?
op era un modo nel quale il prof di analisi chiamava l'o piccolo. Op sta per?

[CarloCoriolano]

Original Poster. Tu.

[federino]

...e un'altra lacunina è colmata. grazie.
sto cercando info sui transistor, su come leggere i datasheet, su come sceglierli in base allo scopo, sul significato di saturazione....
speravo di cavarmela con una manciata di info reperite sul web, ma qui la storia è più complessa! Challenge accepted
questo forum è un pozzo. Prometto che alla prossima richiesta avrò la coscienza a posto.

[claudiocedrone]

...sto cercando info sui transistor... ...sul significato di saturazione...

Eh, si fa presto a dire transistor... BJT, FET, MosFET, UJT, PUT, IGBT, BIGT, p. es. sono tutti transistor (la "T" nella sigla)... nel tuo caso potresti limitarti per il momento a BJT e MosFET scoprendo ad esempio che la saturazione ha significato completamente differente nei due dispositivi

[federino]

Ok...
provo a ricapitolare quanto ho capito, ma credetemi ho scaricato un bel po' di pdf e ho ancora lacune (per restare in tema )

BJT e FET q&d:
pro del primo: più rapido, capace di amplificazioni maggiori
contro del primo: pilotato in corrente

pro del secondo: pilotati in tensione (consumi quasi nulli in interdizione)
contro del secondo: mi è sembrato di capire che siano meno "puliti", introducano delle armoniche nell' uscita, in caso vengano usati in campo audio, oltre ad avere coefficiente di amplificazione minore.

Mi sorge un primo dubbio:
un componente "pilotato" in tensione è un componente che potrebbe essere immaginato come una resistenza tendente a infinito? (scusate, ho bisogno di "unire i puntini" nel mio schema logico mentale).
é quasi scontato, quindi, che per un uso arduinistico siano preferibili i secondi?

Ho cercato di focalizzarmi sull' utilizzo di un transistor come interruttore pilotabile con correnti quasi nulle (quindi in tensione?), preferendo i FET NPN (il bd233 non ho capito bene a che specie appartiene, è un FET?).
é quasi chiaro il suo comportamento come amplificatore (ed è forse proprio sfruttandone questa peculiarità che andrò a regolare la luminosità dei led), ma ho ancora seri problemi nell' interpretazione di un datasheet.

Dunque, tralasciando la storia, sicuramente affascinate ma poco utile all' uopo:
il transistor è un amplificatore: con una corrente minima in base riesce a "modularne" una quantità considerevole, di 3,4 ordini di grandezza superiore.
Se si comporta come un interruttore chiuso è in saturazione, viceversa in interdizione.
la tensione di base VBE è costante (di norma 0.6v - ritorna un po' troppo spesso questo valore )
la tensione VCE, tra collettore ed emettitore, è costante e stando alle vostre risposte, nei modelli più recenti dei transistor, praticamente non rilevante(70mV). Nel mio caso invece devo tenerne conto, essendo di 600mV


Stando al datasheet, che vi allego, provo a fare alcune considerazioni (tradotto, se dico "corbellate", vi chiederei di correggermi)
partendo dal presupposto che un generatore di corrente è un elemento in grado di variare la tensione ai capi di un circuito al fine di garantire una corrente costante, puo' essere approssimabile ad un generatore di tensione con in serie una resistenza quanto più grande possibile.
Già per questa considerazione preferirò una serie di 2 led, in modo da ridurre le variazioni di tensione fisiologiche dell' alimentatore:
quindi mi calcolerò il valore del resistore in questo modo:
12V-VCETransistor-2(3.6v)=4.2V, che dividerò per la corrente massima accettabile dai led, ovvero 80mA, da cui otterrò un valore di 52.5Ohm.
La potenza dissipata sarà pari alla resistenza per il quadrato della corrente: 0.33W (con 1/4 di watt potrei cavarmela, considerando che si tratterebbe di un utilizzo impulsivo, altrimenti andrei a comprare resistori da 1/2W).


il transistor andrà in saturazione con una tensione sulla base di 1.3V (circa doppia della VCE?)
Per avere 1.3V sulla base dovrò "ridurre" i 5v di output di arduino con un paio di resistenze, in modo tale che sulla prima cadano 3.7v. (se una delle due resistenze fosse un trimmer, potrei regolare la luminosità dei led, in un range di tensione 0 - 1.3V?)
(ecco su questo punto ho serissimi dubbi... )



...che confusione.
Esiste una guida "for dummies"?
Come sempre vi ringrazio in anticipo per la pazienza e per i vostri preziosi consigli.
Ciao e grazie

Federico

DS

[gammaci]

Quante domande! Più o meno tutto bene, la Vbe di 1,3 è intesa in saturazione piena per una data Ic, a te ne serve meno.
Vbe > Vce ? Non è strano, è sempre così.
Nella panoramica sono da aggiungere anche gli IGBT che sono dei transistor con la caratteristica di Base di un fet, quindi isolata.
I MOS ideali non hanno bisogno di potenza nel gate, occorre tuttavia trasferire una carica e quindi serve un lavoro per farlo, a regime (a carica trasferita) il gate non assorbe corrente o quasi.
PS: il BD233 era solo un esempio, trovi dei BJT moderni molto migliori di quel dinosauro.
Il calcolo della R è sostanzialmente corretto, penso che 50 ohm tutto sommato vadano bene.

[federino]

scoprendo ad esempio che la saturazione ha significato completamente differente nei due dispositivi

ehm
NOT (mission accomplished)

[federino]

Inanzitutto, come sempre, grazie; spero che un domani (forse dopodomani, stando alla mia curva di apprendimento) le domande possano sempre più tradursi in certezze e quindi in risposte.

Quante domande! Più o meno tutto bene, la Vbe di 1,3 è intesa in saturazione piena per una data Ic, a te ne serve meno.

Credo di seguirti: da 0 a 1.3V ho una quasi proporzionalità nella conduzione tra collettore ed emettitore.
Nel mio caso, quindi, non dovendo far circolare 2A (il massimo del transistor), mi basterà una tensione minore, per avere la conduzione completa?. Quel valore di 1.3V deve essere tassativamente rispettato, anche con correnti di qualche milliampere, pena un transistor alla coque?

Vbe > Vce ? Non è strano, è sempre così.
Nella panoramica sono da aggiungere anche gli IGBT che sono dei transistor con la caratteristica di Base di un fet, quindi isolata.
I MOS ideali non hanno bisogno di potenza nel gate, occorre tuttavia trasferire una carica e quindi serve un lavoro per farlo, a regime (a carica trasferita) il gate non assorbe corrente o quasi.


Chiarissimo!


PS: il BD233 era solo un esempio, trovi dei BJT moderni molto migliori di quel dinosauro.
Il calcolo della R è sostanzialmente corretto, penso che 50 ohm tutto sommato vadano bene.


AIuto, avevo scartato i BJT perché pilotati in corrente...
Quali sarebbero, in caso di un utilizzo non in ambito audio, i pro di una scelta di questo tipo?

[gammaci]

Nel datasheet si trova la VBE per una data Ic, eccolo sotto:

Ora, riesci a dire la Vbe per una Ic di 100 mA?