Meiko ha scritto:Il problema delle dimensioni è dato anche dal sistema di raffreddamento e dalla sua complessità.
Gli IGBT hanno una tensione di C-E in saturazione che a secondo dei tipi va da 1,5V a 2,5V e questo causa dissipazione di calore, quando sono attraversati da forti correnti (mal si adeguano a lavorare a bassa tensione).
Certo che coi MOSFET si riescono ad ottenere perdite più basse (ovviamente, in certi range di tensione e corrente)

, se poi parliamo di wide-bandgap, le caratteristiche intrinseche sono chiaramente migliori rispetto al silicio.
Avevo letto qualche tempo fa su
Bodo's power che,
in alcuni casi, è stata probabilmente la configurazione cascode a portare il vantaggio, più che il semiconduttore stesso (non si tratta di dati molto aggiornati, purtroppo). Ovviamente, in presenza di un vantaggio oggettivo del materiale (SiC o GaN vs. Si), è solo questione di tempo e di investimenti, per perfezionare il processo e rendere sistematicamente superiori i dispositivi. Probabilmente scenderà anche il costo, ma quello dipende anche dalla domanda (che si prevede in forte crescita, per i prossimi anni).
Ne avevamo già parlato, al momento gli IGBT sono economici e molto robusti (reggono il corto-circuito, per tempi brevi!), per cui credo che resisteranno a lungo, specie in applicazioni di controllo motore generiche.
Proprio nelle applicazioni citate da
fpalone, si usano addirittura i tiristori.