Pass transistor e body diode?

[Pioz]

per quanto riguarda le logiche pass-transistor, invece viene menzionato comunque l'utilizzo degli mosfet N (n-mos), allego solo un link ma se ne trovano diversi:
https://www.electronicsandcommunication ... ation.html
in queste configurazioni non si menziona mai il body-diode che potrebbe come indicato in precedenza non permettere il funzionamento in alcuni casi (se VS > VD => conduzione body diode)
Per i pass-transistor vanno usati, se esistono, mosfet N senza body diode ?

Nei transistor discreti il body e' collegato di proposito al source per risparmiare un pin (servirebbe un contatto anche per lui altrimenti). Nei circuiti integrati in generale, non solo in quelli logici, il body (detto anche bulk) e' un contatto disponibile e si puo' decidere cosa farne. Attaccandolo a massa (nel caso dell'NMOS) la giunzione non va mai in conduzione a meno che la tensione non vada un po' negativa, polarizzandola direttamente. Anzi, solitamente il substrato e' condiviso tra piu' transistor o anche tutti.
Cio' non toglie che il bulk possa venire collegato al source, isolando il transistor con una "vasca" dal substrato condiviso con gli altri tramite un'altra giunzione.

EDIT. Mi hai anticipato di poco . Tutto corretto

[IsidoroKZ]

Non avevo visto la domanda! Confermo le ultime due risposte: nei MOS discreti (per lo piu` a struttura verticale) il substrato e` collegato al source non tanto per risparmiare un piedino, quanto per tenere i campi elettrici ad un valore limitato in zona source e per tenere spento il transistore bipolare parassita. Se si accendesse il transistore parassita (capitava talvolta nei vecchi MOS) ka-boom! il transistore esplodeva.

Nei circuiti integrati invece tutti i substrati sono collegati insieme per comodita` di costruzione, e connessi alla tensione piu` negativa (o positiva per i pmos), in modo che la giunzione substrato source (o drain) non vada mai in conduzione.
Se in un CMOS vanno in conduzione i substrati, si ha il fenomeno del latch up.

[lelerelele]

Certo che esistono mosfet senza body diode. Da vedere se Idrain tiene per quello che devi fare.

Non esistono mosfet senza il diodo in quanto tale diodo è intrinseco.

pare che nella tecnologia GAN non ci sia il diodo inverso, ma da quello che ho capito si ha conduzione comunque. link
io penso che ne esistano, perlomeno da segnale, ma penso anche che se nalla applicazione che intendi fare, (di potenza), si abbia l'inversione di polarità, porterebbe alla distruzine del mosfet, quindi non riusciresti comunque ad usarlo.


saluti.

[stefanodelfiore]

grazie lelerelele del link, non si finisce mai di imparare.
In ogni caso ho letto il documento e qualche datasheet di questi componenti, mi sembra che siano decisamente diversi, non solo per il diodo, come struttura interna dai comuni mosfet come ad esempio il componente IRFP250. La GaN System non li chiama GaN mosfet ma GaN transistor o HEMT (High Electron Mobility Transistor).
Nel tuo messaggio scrivi che pensi esistano mosfet di segnale senza il diodo intrinseco, puoi farmi qualche esempio?

[lelerelele]

Nel tuo messaggio scrivi che pensi esistano mosfet di segnale senza il diodo intrinseco, puoi farmi qualche esempio?

Ho trovato qualche FET, per esempio questo.

Per applicazioni di potenza usano gli IGBT.

Perché vuoi ostinarti ad usare un MOSFET, se l'applicazione non è idonea per quel tipo di componente?

Saluti.

[stefanodelfiore]

lelerelele non mi sto ostinando ad usare un mosfet , l'argomento di questa discussione riguarda un mosfet non un jfet.