Buonasera
IsidoroKZ e
EcoTanGrazie per gli interventi, seguono i miei:
- Ho provveduto a rimuovere i due condensatori 1mF dai mosfet
- Per il discorso della bufferizazione, non lo faccio per mera necessità, lo faccio per per due motivi, il primo è per toccare con mano tutte queste criticità, mi piacerebbe comprenderle e affrontarle ( finché posso ) e mi piacerebbe l'idea di creare un buon buffer "standard" se così si può dire, da poter riutilizzare in futuro eventualmente anche con paralleli di mosfet più impegnativi da accendere per potenze più elevate, poi, non è detto che abbandoni questa strada perché troppo complessa e ripieghi sia nell'assenza del buffer, che nell'utilizzo di driver dedicati come TC4420 che mi sembra, se non ricordo male, gestiscano fino a 6-8 ampere in uscita. Con questo stadio a discreti, potrei studiare il comportamento materiale ( a titolo di esperienza personale e di studio ) sia del funzionamento diretto che tramite il buffer, in modo da vederne i pro e i contro introdotti da quest'ultimo. Non è un discorso di impertinenza o di sfiducia il mio, tutt'altro credetemi... mi fido cecamente dei vostri "alert".
- Ho tolto il condensatore in parallelo ai 4 x 1mF. Lo avevo inserito perché "intervenisse" sulle alte frequenze, pensavo fosse necessario.
- Parlando del condensatore di accelerazione, invece, suppongo che serva per anticipare i fronti di salita e discesa di corrente ai BJT e aumentare così l'efficienza ( diminuendo di conseguenza anche la dissipazione ).
Con la resistenza di base di 1K e la pulldown di 4,7K, si ha una Req di 823 Ohm.
Considerando un guadagno "tipico" del BJT di 120, la costante di tempo usando la formula proposta porterebbe a:
T= 823Ohm x C... C= Bo / Wt x Req... C= 120 / 628x10e6 x 823 Ohm... C= 120 / 516044 x 10e3 = 230 pF.
Mi verrebbe un condensatore di accelerazione in parallelo a Rb da 1K del BJT da 230 pF. Questo valore teorico ( sempre se i calcoli sono giusti ) suppongo non debba essere troppo abbondante oltre il valore ricavato per non inficiare sui tempi (?). Forse un modo per mitigare il cambiamento di comportamento del BJT è usare dei valori di calcolo conservativi, ad esempio 2/3 del guadagno e 2/3 della frequenza del BJT, oltre a sovradimensionare leggermente il condensatore di accelerazione a 330 pF, cosi da rendere un po' più "robusta" la situazione... non so' se possa essere una scelta sensata.
- Per quanto riguarda il carico, considerando il progetto di potenze relativamente contenute, il carico applicabile che ho immaginato è di tipo prettamente resistivo ( lampade e piccoli riscaldatori ) e più raramente induttivo se non per piccole potenze (50W-100 W... piccoli motori... aspirazione, ricircolo aria... sono solo esempi)
- Per l'osservazione di
EcoTan, seppur dovranno essere rivalutati ed ottimizzati i valori in seguito, ho pensato di cambiare il valore della Rsnubber da 3,3 Ohm a 6,8 Ohm, così da dimezzare la corrente a circa 3,5A che potrebbe essere un buon compromesso ( iniziale ) per assorbire la corrente induttiva e contenere EMI e riscaldamento... almeno credo. Il condensatore l'ho abbassato a 100 nF per il momento. La potenza media dissipata mi viene poco meno di un watt, 860 mW.
( Posto schema aggiornato con correzioni in modo da avere disponibile sempre l'ultima sorgente aggiornata modificabile per chi volesse apportare altre correzioni... non per intasare la discussione con ripetuti schemi... e intanto faccio pratica nel disegno. Se però è un problema, avvisatemi, evito di ripostare con troppa frequenza lo schema ridisegnato dopo aggiornamento ).