Questi valori di tensione provengono da un partitore così composto:
Per eseguire il test dovrò emulare il comportamento dell'NTC.
Probabilmente la modalità più corretta per fare il test è quella di sostituire l'NTC con dei resistori variabili che coprano il range dell'NTC originale (circa 160 ohm-980 kohm). Il test sarà eseguito automaticamente con un SW scritto in LabVIEW che controllerà i valori resistivi dell'NTC emulato e validerà le letture provenienti dal microcontrollore (ossia i valori di tensione del partitore, salvati sul registro dell'ADC).
Da qui l'esigenza di utilizzare dei potenziometri digitali, come questo, al posto degli NTC.
Ora però questi dispositivi non hanno la risoluzione che vorrei, ossia, 2,3 ohm, ma molto minore (1024 step su 10k, 20 k, 50k, ecc.). Risolverei con una rete di potenziometri digitali, ma si complicherebbe di molto il controllo ed il circuito.
Mi è venuto in mente di utilizzare degli NMOS in saturazione controllando la loro tensione di gate con un DAC a grande risoluzione 14 o 16 bit seguito da un partitore. Così:
In questa maniera credo che riuscirò ad ottenere la risoluzione desiderata però ho paura di complicarmi la vita con la funzione di trasferimento dell'NMOS in saturazione, infatti da una prima simulazione, risulta:
Dove in blu è descritto l'andamento della corrente sul "partitore" (10k-NMOS), in verde la tensione da verificare sull'ingresso dell'ADC (ADC input), in rosso la resistenza equivalente dell'NMOS, tutte in funzione della tensione generata da PC tramite DAC.
- E' corretto, secondo voi, sostituire all'NTC, un MOS così controllato piuttosto che un potenziometro digitale?
- Pensavo di ricavare la caratteristica della corrente in funzione di Vgs dalla formula dell'NMOS in saturazione, ossia
trascurando l'effetto della modulazione di lunghezza di canale. Avrò una buona corrispondenza, o caratterizzo il MOSFET che andrò ad usare con una simulazione SPICE o con una campagna di misure sul componente reale?
A presto,


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non oso pensare cosa possa accadere.....