Facendo alcune prove ho scoperto che aumentando la tensione sulla base il transistor va in saturazione,

Sembra che con una tensione di 6.2 V sul generatore di tensione inizia ad andare in saturazione.. quindi probabilmente la mia idea è corretta?
Moderatori:
carloc,
g.schgor,
BrunoValente,
IsidoroKZ

P.s. E per amor di dio lascia perdere i simulatori,come hanno detto più volte in questo forum per usarli bisogna sapere più elettronica di loro !

tazzo ha scritto:Da quello che so per essere in saturazione bisogna avere:
Vbe >= 0.7v
Vce <= 0.2v
Come detto non voglio fare un ponte ad H perfetto ma voglio capire i transistor NPN
Non voglio fare un ponte ad H, voglio capire perché non è possibile farlo con dei NPN, qualcuno sa descrivermi le motivazioni?
tazzo ha scritto:Da quello che so per essere in saturazione bisogna avere:
Vbe >= 0.7v
Vce <= 0.2v
instead of
(Anonimo).
ain't
, right?
in lieu of
.
for
arithm.

tazzo ha scritto:voglio capire perché non è possibile farlo con dei NPN
Visitano il forum: Nessuno e 58 ospiti