ElectroYou - la comunità dei professionisti del mondo elettrico

da **rock85** » 7 nov 2012, 22:04

Un condensatore MOS a canale n $(N_{AB} =5\cdot 10^{16} cm^{-3})$ presenta al terminale di gate una carica $Q_{G}=200\frac{nC}{cm^{2}}$ . Assumendo nulla la carica intrappolata all’interno dell’ossido, trovare la regione di funzionamento ed il valore della carica di svuotamento immagazzinata nel substrato.

Sono bloccato su questo esercizio.
Avevo pensato di calcolare la concentrazione dei portatori alla superficie del substrato con la formula

$p(0)=N_{AB}\cdot e^{\frac{-\phi _{s}}{V_{T}}}$

e poi confrontare tale concentrazione con quella del drogante e vedere la regione di funzionamento ,il problema è come calcolarmi la tensione di superficie $\phi _{s}$ .

da **jordan20** » 15 nov 2012, 18:40

Dai una bella lettura qui: http://phobos.iet.unipi.it/~nannini/disp02-4.PDF da pag. 187 a 197.

ElectroYou - la comunità dei professionisti del mondo elettrico

Esercizio su condensatore MOS

[1] Esercizio su condensatore MOS

[2] Re: Esercizio su condensatore MOS

Chi c’è in linea

Informazioni

Seguici

Pubblicità

Credits