ElectroYou - la comunità dei professionisti del mondo elettrico

da **carloc** » 18 nov 2012, 1:27

ireon ha scritto:Si in effetti viene negativa comunque....

già...
$I_\text{B}=\frac{-V_\text{BEsat}+V_\text{CEsat}}{R_\text{B}}\approx\frac{-0\text{,}7\,\text{V}+0\text{,}2\,\text{V}}{R_\text{B}}=\frac{-0\text{,}5\,\text{V}}{R_\text{B}}<0$

Eh allora dato che non ci può essere una corrente che esce dalla base di un NPN (almeno che non si arrivi al breakdown ma lasciamo perdere...) vuol dire che "L'ipotesi fatta di saturazione è sbagliata" come del resto già anticipato in [2] e [6].

Io direi che è in ZAD ;-)

vuoi verificare?

da **ireon** » 18 nov 2012, 11:58

Allora sicuramente è in regione attiva diretta però nell'esercizio fornisce anche il $\beta_I$ . Comunque il circuito completo dell'esercizio è il seguente:

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

E devo calcolarmi:

$V_B_2,V_O_U_T,I_B_1,I_B_2,I_C_2;\sigma1$

Per V_I_N = 0V

e [unparseable or potentially dangerous latex formula]

Quindi quando V_I_N = 0V

avrei:

• Il transistor sopra in regione attiva diretta e il transistor sotto interdetto

Invece quando [unparseable or potentially dangerous latex formula]:

• Il transistor sopra in regione attiva diretta e il transistor sotto in regione attiva inversa

Pertanto nessuno dei due transistor è in saturazione e il $\sigma1$ sarà maggiore di 0.8

quando [unparseable or potentially dangerous latex formula]

da **ireon** » 18 nov 2012, 12:00

Comunque adesso mi faccio i conti e vediamo cosa ottengo :-)

da **carloc** » 18 nov 2012, 12:16

ireon ha scritto:Allora sicuramente è in regione attiva diretta però nell'esercizio fornisce anche il $\beta_I$

Potrebbe anche essere solo un diversivo non è che ai transistor interessi molto quali dati vengono forniti :mrgreen:

ireon ha scritto:• Il transistor sopra in regione attiva diretta e il transistor sotto in regione attiva inversa

BC in diretta e BE in inversa non mi pare ci sia questa possibiltà con quel circuito....

da **ireon** » 18 nov 2012, 13:07

Allora ho fatto i calcoli per Vin=0V

supponendo che il transistor di sopra lavori in regione attiva diretta, naturalmente il transistor sotto è interdetto in questa situazione. Quindi:

I_E=I_C+I_B

$V_O_U_T = R_LI_E = R_LI_B(\beta_D + 1)$

$I_B=\frac{[V_c_c-V_B_E (att)+V_O_U_T]}{R_B_2}$

$I_C=\beta_D I_B$

$I_E=I_B(\beta_D +1)$

$I_B=\frac{V_c_c - V_B_E(att)}{R_B_2 + R_L(\beta_D + 1)}$

Risolvendo ottengo i seguenti valori:

$I_B=5.58\muA$

I_E=0.43mA

Verifico la mia supposizione:

$\sigma=\frac{I_C}{\beta_D I_B}\cong1$

Quindi effettivamente siamo in regione attiva diretta.

Dovrebbe essere tutto giusto, adesso però se metto in ingresso [unparseable or potentially dangerous latex formula] come devo procedere? La polarizzazione della giunzione base-collettore del transistor sopra non può cambiare, quindi rimane polarizzata inversamente, però la giunzione base-emettitore potrebbe polarizzarsi inversamente portando il transistor in interdizione. Per quanto riguarda il transistor sotto la giunzione base-emettitore sarà polarizzata direttamente, quindi il transistor potrà lavorare in regione attiva diretta o in saturazione..

da **simo85** » 18 nov 2012, 13:17

ireon ha scritto:però la giunzione base-emettitore potrebbe polarizzarsi inversamente portando il transistor in interdizione.

Perché?

da **ireon** » 18 nov 2012, 13:33

perché ho un secondo transistor collegato sotto che potrebbe cambiare la polarizzazione del transistor sopra, non potrebbe il transistor sotto portare l'emettitore del transistor sopra ad una tensione maggiore della base?

da **simo85** » 18 nov 2012, 13:38

Perché? Anche se ti anticipo che la risposta è no a tutte e due le domande (cambiare polarizzazione ed alzare la tensione sull'emettitore), sarebbe bene comunque leggere una motivazione, magari hai dei dubbi che è bene risolvere.

Cosa succede se accendi il transistore di sotto? Se lo accendi non c'è niente di interdetto.

PS: i componenti si nominano negli schemi. Q1, Q2 etc.

da **ireon** » 18 nov 2012, 19:58

Allora chiamiamo il transistor sotto

e il transistor sopra

. Supponiamo il transistor

in regione attiva diretta e

in saturazione . Quindi:

$\sigma 1= \frac{I_C_1}{\beta_D I_B_1}$

$\sigma 2= \frac{I_C_2}{\beta_D I_B_2}$

$I_b_1 = \frac{V_i_n - V_B_E( Q1 sat)}{R_B_1}=4.2mA$

I_C_1 = I_E_2+I_R_L

$I_R_L = \frac{V_O_U_T}{R_L}=0.02mA$

$I_E_2=I_B_2(\beta_D+1)=30.4mA$

$I_B_2=\frac{V_c_c - V_B_E(Q2 att) - V_O_U_T}{R_B_2}=0.4mA$

I_C_1=I_E_2+I_B_2=30.4mA

$I_C_2=\beta_D I_B_2 = 30mA$

Quindi verificando le due supposizioni:

$\sigma 1= \frac{I_C_1}{\beta_D I_B_1}=0.097<\sigma_M_A_X=0.8$

$\sigma 2= \frac{I_C_2}{\beta_D I_B_2}=1>\sigma_M_A_X=0.8$

Se non ho sbagliato i calcoli dovrebbe essere tutto corretto, quindi alla fine il dato $\beta_I$ praticamente è inutile..

da **ireon** » 18 nov 2012, 20:20

Simulando con PSpice si verificano i risultati che ho ottenuto:

Immagine

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Circuito BJT

[11] Re: Circuito BJT

[12] Re: Circuito BJT

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