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Tensione di emettitore ai piccoli segnali

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[11] Re: Tensione di emettitore ai piccoli segnali

da IsidoroKZ » 1 feb 2021, 3:37

Si`, $g_m=\frac{\beta_0}{r_\pi}$ per cui l'amplificazione del common collector viene circa

$A_{cc}\approx\frac{g_mR_E}{1+g_mR_E}$

L'impedenza vista guardando dentro l'emettitore di un bipolare con la base a ground vale circa 1/g_m

. Ora, se i due transistori formano un differenziale e hanno la stessa corrente di polarizzazione I_C

e sono alla stessa temperatura, essendo vicini sul silicio, si ha che anche la loro gm e` uguale. Sostituendo al posto di R_E

l'espressione 1/g_m

nella formula dell'amplificazione si ha

$A_{cc}\approx\frac{g_m\frac{1}{g_m}}{1+g_m\frac{1}{g_m}}$ , che lascio a te calcolare quanto fa :-)

Per usare proficuamente un simulatore, bisogna sapere molta più elettronica di lui
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