ho uno specchio semplice come quello in figura

(2 nmos collegati tra loro dal gate di cui uno è in configurazione "a diodo" (ovvero VDS=VGS))
Sul ramo di riferimento ho una resistenza R1=1K mentre sul ramo specchiato una R2=1k.
Entrambi alimentati a 5Vdc.
Questa configurazione mi serviva per fare un analisi (con capture) di tipo DC parametric Sweep per confrontare le 2 correnti al variare dell'alimentazione e della larghezza di canale del secondo MOS.
Adesso però volevo valutare la resistenza di uscita (la rout), purtroppo non ho ben chiaro come modificare il circuito e che tipo di analisi impostare. (ho fatto varie prove su spice ma senza risultati ...eppure su carta mi riesce usare il metodo del generatore di test e il modello circuitale per piccoli segnali)
Grazie in anticipo

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