Pilotare MOSFET Potenza

[Ste75]

Grazie.

OK, mi torna che, una volta superata la Vgs threshold, la corrente inizia a salire e la Vds SUBITO inizia a scendere (V=R*I). A questo punto sarà meglio che vada a ripassarmi la presenza di effetto miller che per ora associavo solo a carico induttivo.
Magari se riesco a capirci, scrivo qualcosa sul forum (o set trovo documentazione in rete).

Grazie!
Ciao
Stefano

[IsidoroKZ]

Mentre ero al mercato ho avuto tempo per fare il conto: a partita` di tensione, di corrente e di tempo totale di commutazione, l'energia dissipata con carico resistivo e` 1/3 di quella con carico induttivo.

L'effetto Miller c'e` perche' il transistore guadagna (-gm RL) e la Crss viene riportata in gate moltiplicata per tanto.

Oppure puoi vedere il tutto come un integratore in cui MOS+resistenza formano un ampli invertente, Crss e` la capacita` di integrazione e la R di gate la resistenza di ingresso dell'integratore. Poi c'e` anche un offset dovuto alla tensione di soglia...

[Ste75]

Grazie per le dritte.
Effettivamente mi sono calcolato la potenza dissipata dal MOS in fase di accensione con carico resistivo:
=1/6 * Vds*Id*Tacc * fsw.

Dove Vds è la tensione a cui è alimentato il carico (che è la Vds nel caso di MOS spento), Id è la corrente di drain quando il MOS sarà chiuso e Tacc è il tempo che intercorre dal superamento dell Vgs threshold alla completa chiusura del MOS.
Se considero che anche lo spegnimento abbia gli stessi tempi, la P dissipata per switching è: 1/3*Vds*Id*Tacc*fsw.

A questo punto il problema è stimare il Tempo di accensione (da ora lo chiamo Tac).
E qui mi sorgono delle domande:
1. posso dire che nel caso di carico resistivo, appena la Vgs supera quella di soglia, la Id aumenta, la Vds diminuisce ed HO SUBITO effetto miller (zona di Plateaux nella Vgs)?
E poi la zona di plateaux dura fino a quando Vdrain è scesa a 0 e la Id è andata al suo valore massimo?
Se si, potrei stimare facimente questo tempo considerando Ic=c*dVc/dt e considerando Ic la Igate=(Vdrive-Vplateaux)/Rgate.
Però mi rimane da sapere cosa mettere come Vplateaux e come valore di C che dovrebbe essere le Cgate-Drain.

Spero ancora in qualche dritta, cosi arrivo magari ad una soluzione completa che metto in un documento e che rendo disponibile sul forum.

Ciao
Stefano

[IsidoroKZ]

posso dire che nel caso di carico resistivo, appena la Vgs supera quella di soglia, la Id aumenta, la Vds diminuisce ed HO SUBITO effetto miller (zona di Plateaux nella Vgs)?

Si`, qualcosa del genere. C'e` un ritardo per la Vgs per arrivare alla soglia.

E poi la zona di plateaux dura fino a quando Vdrain è scesa a 0 e la Id è andata al suo valore massimo?

Si`. In questa fase pero` la Vgs cambia perche' la transcoduttanza del MOS e` limitata.

potrei stimare facimente questo tempo considerando Ic=c*dVc/dt e considerando Ic la Igate=(Vdrive-Vplateaux)/Rgate.

OK, va bene.

Però mi rimane da sapere cosa mettere come Vplateaux e come valore di C che dovrebbe essere le Cgate-Drain.

La capacita` gate drain la trovi sui data sheet, Crss. In realta` e` una rogna perche' e` una capacita` non lineare, diminuisce all'aumentare della tensione, e ci sono un po' di modi di fare i conti.
Per la tensione Vgs, come detto prima, hai che questa varia. Dato che i conti che si fanno non sono precisi (e non potrebbero esserlo), puoi prendere un valore medio, maggiore della tensione di soglia.

[Ste75]

Ciao.
Se non ho fatto danni ho inserito un articolo (penso si trovi nel mio BLOG.. non sono cosi esperto...) riguardante appunto l'argomento trattato: Perdite di switching con carico resistivo.

Se volete dare un'occhiata e magari farmi notare errori o imprecisioni o miglioramenti....

Ciao
Stefano