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Esercizio NMOS carratteristica statica e dinamica

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[1] Esercizio NMOS carratteristica statica e dinamica

Messaggioda Foto Utenteireon » 27 ott 2012, 11:17

Allora ho il seguente esercizio da risolvere, è stato risolto in classe dal professore, ma io avrei dei dubbi e me lo sto rivedendo tutto per capirlo bene, visto che sarà un tipico esercizio dell'esame di Elettronica Digitale. Allora inizio a scrivere l'esercizio con la risoluzione, poi quando ho bisogno di aiuto mi fermo, attendo le risposte e continuo la risoluzione dell'esercizio.

• Calcolare la caratteristica statica e la caratteristica dinamica del seguente circuito:



Allora iniziamo dalla caratteristica statica.

CARATTERISTICA STATICA

Iniziamo considerando Vin = VGS = 3.3V e teniamo conto che il condensatore nel calcolo della caratteristica statica possiamo considerarlo come circuito aperto. Quindi VDS= VOUT

Consideriamo le condizioni nelle diverse regioni di lavoro del MOSFET:

VGS < VT --> interdizione

VGS > VT --> triodo o saturazione

In particolare:

VDS < VGS-VT -->triodo

VDS = VGS - VT --> separazione tra triodo e saturazione

VDS > VGS - VT --> saturazione

Nel nostro caso Vin = 3.3V > VT = 0.7V pertanto il MOSFET è accesso e lavorerà nella regione di triodo o in saturazione, sappiamo che:

VGS - VT = 3.3V - 0.7V = 2.6V

Ora per determinare la regione di lavoro dobbiamo calcolare il VDS. Qui avrei il primo dubbio, il professore ha detto che è evidente guardando il circuito che VDS è prossimo a 0 pertanto lavorerà in regione di triodo. Quindi si utilizza il modello del MOSFET nella regione di triodo dove esibisce una resistenza di canale RCH e questa resistenza può essere calcolata dalla seguente formula:

IDS = \hat{kN}[2(VGS-VT)VDS - VDS^{2}]

Dal momento che VDS è molto piccolo il termine VDS^2 può essere trascurato quindi si può facilmente calcolare RCH:

RCH = \frac{VDS}{IDS} \cong 1kohm

Dove:

\hat{kN} = kN\frac{W}{L}\cong192*10^{-6}

E il circuito equivalente è il seguente:



E considerando il partitore di tensione si può calcolare VOUT = \frac{RCH*VDD}{RCH+RD}\cong0.15V

Però non ho capito per quale motivo VDS è prossimo a zero, se eventualmente vorrei calcolarlo come dovrei procedere?

P.S. La massa in alto a destra non la considerate l'ho messa per sbaglio e me ne sono accorto solamente dopo aver postato il circuito.
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[2] Re: Esercizio NMOS carratteristica statica e dinamica

Messaggioda Foto UtenteDirtyDeeds » 27 ott 2012, 11:46

La tensione V_\text{DD} è connessa con la polarità sbagliata ;-)

ireon ha scritto:Qui avrei il primo dubbio, il professore ha detto che è evidente guardando il circuito che V_\text{DS} è prossimo a 0 pertanto lavorerà in regione di triodo.


Se uno non riesce a intuire in quale regione lavora il dispositivo (qualunque, non solo il MOS) deve procedere così:

1) Assume che il dispositivo sia in una certa regione di funzionamento e risolve il circuito utilizzando la caratteristica che il dispositivo ha nella regione scelta.
2) Verifica che le correnti e le tensioni trovate siano compatibili con la regione di funzionamento assunta al punto 1): se non lo sono, allora quella assunta non è la ragione di funzionamento corretta e ne deve scegliere un'altra.

PS: usa i pedici nelle equazioni, diventano più leggibili: guarda come ho scritto V_\text{DD} e V_\text{DS}

PPS:

Però non ho capito per quale motivo VDS è prossimo a zero, se eventualmente vorrei calcolarlo come dovrei procedere?


Volessi
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[3] Re: Esercizio NMOS carratteristica statica e dinamica

Messaggioda Foto Utenteireon » 27 ott 2012, 13:42

Si il più sta sotto VDD ho sbagliato a scriverlo. comunque allora consideriamo l'equazione che descrive IDS nella regione di triodo:

IDS=\hat{kN}[2(VGS-VT)VDS - VDS^2]

Poi so che:

IDS = \frac{VDD-VDS}{RD}

E sostituendo e risolvendo l'equazione, essendo di secondo grado, mi trovo due valori di VDS però poi quale dei due dovrò considerare? perché alla fine dovrei avere un solo valore di VDS ed essendo VDS=VOUT dovrà essere uguale a 0.15V ovvero il valore che mi sono trovato prima ed effettivamente VDS è prossimo a zero come supposto.

Come faccio a mettere i pedici?
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[4] Re: Esercizio NMOS carratteristica statica e dinamica

Messaggioda Foto Utenteireon » 27 ott 2012, 18:18

Intanto vado avanti con la risoluzione e passiamo alla caratteristica dinamica.

CARATTERISTICA DINAMICA

Dalla caratteristica statica abbiamo ottenuto:

V_i_n=3.3V --> V_O_U_T=0.15V

V_i_n=0V --> V_O_U_T=3.3V

Adesso consideriamo separatamente le commutazioni V_H_L e V_L_H

Commutazione V_H_L:

V_i_n=3.3V --> 0V

V_O_U_T=0.15V --> 3.3V

Mentre il passaggio di V_i_n a 0 sarà istantaneo il passaggio di V_O_U_T da 0.15V a 3.3V non può avvenire istantaneamente a causa della presenza del condensatore sul nodo d'uscita. Allora abbiamo V_i_n=0V pertanto:

V_G_S=V_i_n<V_T=0.7V

Il MOSFET sarà in interdizione e avremo che il condensatore si scarica sulla resistenza attraverso la formula:

V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_H_L}{\tau}}

con \tau=R_D*C_L=2ns

V_\infty=3.3V

V_0=0.15V

Poi sappiamo che la commutazione avviene al 50\% del V_O_U_T quindi:

V_O_U_T=V_5_0_\%=\frac{V_\infty+V_0}{2}=1.73V

Quindi abbiamo t_H_L come unica ingognita e risolviamo ottenendo:

t_H_L\cong1.38ns

Adesso consideriamo la commutazione V_L_H:

V_i_n=0V --> 3.3V

V_O_U_T=3.3V --> 0.15V

In questo caso le cose si complicano poiché il condensatore istantaneamente mi tiene fissa la tensione sul nodo d'uscita e pertanto prima si scaricherà nel seguente modo:

V_O_U_T=V_D_S=3.3V

V_G_S-V_T=2.6V

V_D_S>V_G_S-V_T

Pertanto inizialmente siamo in saturazione è il modello circuitale del MOSFET é il seguente:



Applicando la formula:

I_D_S=\hat{k_n}(V_G_S-V_T)^{2}\cong1.3mA

Quindi utilizziamo la formula per calcolare la scarica del condensatore:

V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_1}{\tau}}

Applichiamo Thevenin sul nodo d'uscita:



Dove:

V_T_H=V_D_D-R_D*I_D_S=V_\infty=-22.7V

R_T_H=R_D=20kohm

V_0=3.3V

\tau=R_D*C_L=2ns

Mentre la V_O_U_T è la tensione in cui avviene il passaggio tra la regione di saturazione e quella di triodo e sarà uguale a:

V_O_U_T=V_i_n-V_T=2.6V

Quindi questo circuito equivalente è valido fino a V_O_U_T=2.6V poi il MOSFET lavorerà nella regione di triodo. Sostituendo il valore di V_O_U_T possiamo calcolarci t_1:

t_1\cong0.061ns

A questo punto il MOSFET passa in regione di triodo è il modello circuitale è quello seguente:



Con:

I_D_S=\hat{k_N}[2(V_G_S-V_T)V_D_S-V_D_S^2]

Trascurando il termine V_D_S^{2} possiamo calcolarci la resitenza di canale:

R_C_H=\frac{V_D_S}{I_D_S}=1kohm

Quindi la costante di tempo del circuito:

\tau=(R_D//R_C_H)*C_L\cong0.095ns

Applicando la formula:

V_O_U_T=V_\infty+[V_0-V_\infty]e^{\frac{-t_2}{\tau}}

Con:

V_O_U_T=\frac{V_\infty+V_0}{2}=1.73V

V_\infty=0.15V

V_0=2.6V

Quindi:

t_2\cong0.05nsns

Infine:

t_L_H=t_1+t_2\cong0.1ns

Praticamente se ho capito bene il condensatore parte da 3.3V poi fino a quando la tensione ai suoi capi arriva a 2.6V siamo in saturazione, da questo punto in poi siamo in regione di triodo fino a V_O_U_T=0.15V in questo punto il MOSFET quindi è interdetto?
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[5] Re: Esercizio NMOS carratteristica statica e dinamica

Messaggioda Foto Utenteireon » 27 ott 2012, 19:34

Di seguito il comportamento del circuito visto con Spice:

Immagine
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[6] Re: Esercizio NMOS carratteristica statica e dinamica

Messaggioda Foto UtenteDirtyDeeds » 29 ott 2012, 15:12

ireon ha scritto:mi trovo due valori di VDS però poi quale dei due dovrò considerare?


L'unico compatibile con le caratteristiche del MOS e del circuito. Quanto ti viene l'altro?

ireon ha scritto:Come faccio a mettere i pedici?


Se passi con il mouse sopra una formula ti appare il codice. Comunque, per esempio,

Codice: Seleziona tutto
[tex]V_{DS}[/tex]




V_{DS}

ma meglio ancora

Codice: Seleziona tutto
[tex]V_\text{DS}[/tex]




V_\text{DS}
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