1)Dove c'e` scritto che la Vth puo` variare da .5 V a 3V?
2) Quanto vale la Vth del tuo MOS? Quanto vale il parametro kp del tuo MOS (o kn, non so come lo avete chiamato)
3) Schema fidocadj con MOS e 4 resistenze (FATTO IN MODO IMPECCABILE!), con i valori dei componenti, le tensioni su tutti i nodi e la corrente di drain.
4) Schema e dati da spice, in cui si vedano valori dei componenti, bias point, modello del transistore e parametri calcolati del transistore.
5) Che modello hai usato per il MOS in spice? Riportalo qui, e spiega come hai fatto a metterlo in spice.
Aggiunta postuma: 6) come hai fatto a calcolare W e L del MOS? Come hai calcolato tutti gli altri componenti? Al solito procedimento e calcoli dettagliati, scritti in Latex. Anche se hai l'impressione di averlo gia` detto, ripeti in dettaglio, con precisione qui.
Se manca una sola risposta, o non e` completa, o non e` convincente (ovviamente a mio insindacabile giudizio) chiudo il thread perche' sono stufo di essere preso in giro. Non mi interessa la tua opinione. Hai aspettato un anno con questo problema, non fai quello quello che ti si dice e questo significa prendere in giro, non rispettare il tempo altrui.
Oscillatore a sfasamento
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Per usare proficuamente un simulatore, bisogna sapere molta più elettronica di lui
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Se volete risposte rispondete a tutte le mie domande
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leoc2589 ha scritto:Ok. Comunque mi sono ricavato la corrente di drain lavorando su W e L del Mosfet e rispettando le condizioni sulla potenza dissipata. Id=3.96mA con valori resistori trovati precendetemente; W=54um e L=0.4um . Poi che dovrei fare?
Progettare un amplificatore e non due resistenze in serie con in mezzo un MOS in triodo... Non ci siamo proprio, come giustamente ti ha detto
. Quindi rispondi a TUTTE le sue domande e vedrai che arrivi al tuo scopo. PS: per la cronaca, avevo 30 minuti di tempo ed ho voluto verificare l'effettiva difficoltà del problema. Ecco una possibile soluzione utilizzando il tuo MOS, ovviamente senza valori visibili
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EnChamade
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Salve a tutti...sto dimensionando lo stesso circuito di cui sopra e mi è sorto un dubbio.
Ho dimensionato il MOS trovando la corrente di drain e dimensionando il partitore di gate e trovando la resistenza di source, tutto in modo da ottenere un guadagno superiore a 29.
Fin qui tutto ok, mentre per quanto riguarda l'analisi in ac, mi chiedevo, come terza resistenza della terza cella della retroazione, sarebbe giusto assumere tale resistenza uguale al parallelo tra R1 e R2 il tutto sommato a R5?in questo modo mi si semplificherebbero di molto i calcoli.
Nell'attesa di un vostro consiglio, vi ringrazio...:)
Ho dimensionato il MOS trovando la corrente di drain e dimensionando il partitore di gate e trovando la resistenza di source, tutto in modo da ottenere un guadagno superiore a 29.
Fin qui tutto ok, mentre per quanto riguarda l'analisi in ac, mi chiedevo, come terza resistenza della terza cella della retroazione, sarebbe giusto assumere tale resistenza uguale al parallelo tra R1 e R2 il tutto sommato a R5?in questo modo mi si semplificherebbero di molto i calcoli.
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domenico89
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Grazie per il consiglio, purtroppo non me lo fa più cancellare...
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domenico89
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claudiocedrone
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Ciao a tutti!
Sono nuovo di qui, quindi scusatemi se non sono nella sezione adatta.
Dovrei fare una tesina sugli oscillatori a sfasamento con OP-AMP e sugli oscillatori a sfasamento con transistor, solo che non riesco a trovare molto materiale. Qualcuno potrebbe darmi qualche dritta su dove cercare?
P.s. L'ho chiamata tesina perché la dovrò presentare all'esame di Elettronica 1.
Sono nuovo di qui, quindi scusatemi se non sono nella sezione adatta.Dovrei fare una tesina sugli oscillatori a sfasamento con OP-AMP e sugli oscillatori a sfasamento con transistor, solo che non riesco a trovare molto materiale. Qualcuno potrebbe darmi qualche dritta su dove cercare?
P.s. L'ho chiamata tesina perché la dovrò presentare all'esame di Elettronica 1.
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