Per la dinamica possiamo fare così: cerchiamo di ottenere il massimo con i componenti che abbiamo.
Per collaudare davvero gli alimentatori occorre un generatore d'impulso molto veloce, e con gli IRFP250 la vedo dura... magari qualcun altro può usare il nostro stesso circuito, con mosfet più "leggeri", per salire con le prestazioni in frequenza!
Che ne dite, iniziamo a buttar giù qualcosa in merito alla sezione analogica?
Che ne dite della proposta di impiegare un circuito di controllo separato per ogni mosfet (o al massimo ogni 2 mosfet)? In questo modo si può incrementare agevolmente la corrente massima assorbibile, semplicemente replicando il circuito più volte.
Supponiamo di sfruttare il carico a potenza nominale: 10A @ 30V, sono
300W da dissipare.
Impossibile accontentarsi di 2 o 4 mosfet: cerchiamo di capire quanti ne servono:
- Supponendo di far lavorare la giunzione a una temperatura di
100°C- Nota la resistenza termica giunzione-case:
Rth,jc di
0,65 °C/W- Supponendo di impiegare un accoppiamento case-dissipatore con resistenza termica
0,5 °C/W- Supponendo di impiegare un generoso dissipatore, con resistenza dissipatore-ambiente
Rth,hs = 2,5 °C/W (esempio Aavid thermalloy:
here)
Otteniamo una resistenza termica totale di
3,65 °C/W.
La potenza massima dissipabile, con temperatura ambiente di 25 °C, sarà dunque:

Il numero di mosfet necessari è dunque

Abbiamo dunque bisogno di impiegare ben 15 transistor.
Possiamo decidere di usarne 16, replicando per ben 8 volte il circuito di comando per 2 transistor, oppure usarne 14, replicando il tutto 7 volte.
Potremmo anche pensare di disegnare un circuito di comando per 3 transistor, ma vorrei evitare qualsiasi problema di risonanza e squilibrio fra mosfet.
Le dimensioni finali dell'apparecchio cominciano a prendere forma.
stefanob70, ti aspettavi qualcosa di più compatto?
Possiamo ridurre la resistenza termica del dissipatore con la ventilazione forzata: serve una ventola, magari un controllo di temperatura, e sicuramente un case adatto.
Alberto.