Vi ringrazio per l'attenzione e il tempo (prima che mi dimentichi

)
Ok Vediamo se ho capito o se sto affogando nella mia ignoranza
Per il momento prendiamo per buono lo schema del primo post e il datasheet postato da rusty.
Poniamo sempre che il led funzioni a 0.020A e che la caduta di tensione del led sia 2V nel caso sia rosso quindi abbiamo che:




A questo punto controllo nel datasheet gli AMR (valori massimi) in modo che la corrente utile per fare funzionare il led sia inferiore alla corrente massima di collettore del transistor e per star tranquilli tolgo dalla corrente di collettore massima un 15%


Ok rientro nei valori massimi a questo punto poiché voglio fare lavorare il transistor in saturazione vado a calcolare la resistenza da mettere al collettore tenendo in considerazione la caduta di tensione che ha il led, della caduta di tensione che ho tra collettore ed emettitore in saturazione.
Consulto il datasheet:

- Datasheet.PNG (19.59 KiB) Osservato 30389 volte
Alla voce Vce_sat leggo che per un valore di Ic di 10mA ho una Vce_sat di 0.2V mentre per un Ic di 50mA ho una Vce_sat di 0.3V quindi avendo bisogno di 20mA posso tenere buona una Vce_sat di 0.2V (o se voglio essere inutilmente pignolo potrei interpolare i due valori per calcolare la Vce_sat effettiva):

e fino a qui penso di non aver tralasciato o sbagliato nulla.
A questo punto devo calcolarmi la corrente di base Ib e quindi mi serve sapere quant'è il guadagno hfe (detto anche beta zero

) e vado nuovamente a consultare il datasheet:
Alla voce hfe leggo che per un valore Ic di 10mA con Vce di 1V il guadagno è da 100 min. fino a 300 max e che per una Ic di 50mA con Vce di 1V il guadagno è di 60.
Essendo la mia Ic 20mA ipotizzo un guadagno pari a 60 (

quindi prendo sempre in considerazione il guadagno più basso?

).

Ma...come faceva notare IsidorKZ e obiuan bisogna calcolare Ib col calcolo spannometrico

obiuan ha scritto:Dunque nel tuo caso:
vuoi una Ic di 20mA ed hai un transistor che ha un beta variabile fra 60 e 100. Prendiamo il beta minimo:
20mA / 60 = 333 uA
Questo significa che con una Ib di 333uA o meno il transistor riuscirà a restare in zona attiva. Mettiamogli allora una Ib decisamente superiore, diciamo 1mA.
o meglio come dice IsidorKZ
IsidoroKZ ha scritto:Se guardi il data sheet, nella parte ON characteristics dice dei parametri del transistor (ad esempio VCE(sat) e VBE(sat)) ma indica anche che sono stati valutati con

questo e` un forte suggerimento a usare quel valore di beta forzato, quindi per avere 20mA in collettore metti 2mA in base e dormi sonni tranquilli :)
e guardando meglio il datasheet notiamo che i vari test fatti li hanno eseguiti considerando un guadagno hfe di 10 quindi:

in questo modo siamo sicuri che il transistor lavori in saturazione.
A questo punto posso finalmente calcolarmi la resistenza di base Rb:

IsidoroKZ ha scritto:Infine si dovrebbe anche usare il valore di VBE(sat), che e` un po' piu` alta rispetto a quanto avevi preso, ma questo non comporta variazioni significative.
quindi al posto di Vbe 0.7 dovrei usare 0.85 e quindi( e qui si vede se casca l'asino

che nella fattispecie sarei io):

e quindi posso arrotondare per eccesso? 2200ohm vanno bene?
Ok ci ho messo un po a scrivere tutto spero di non aver fatto errori, di non aver tralasciato i suggerimenti di nessuno e ho preferito essere dettagliato e magari ripetitivo perché magari potrà tornare utile anche a qualcun altro.
Ci sono arrivato o c'è qualcosa da rivedere?
son sicuro che mi sto dimenticando di chiedervi qualcosa ma al momento mi sfugge....ah si le formule di verifica per controllare che i conti tornino...rusty aveva accennato a qualcosa