calcolo resistenza di base transistor NPN

[massimo67]

Non sono un tecnico purtroppo. posso usare un mosfet ma non so se collegarlo direttamente all uscita del 555.

[lelerelele]

in questo caso penso che tu possa collegarlo direttamente...lavorando a frequenze molto basse.


saluti.

[GuidoB]

Un circuito che puoi utilizzare è il seguente:

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

Non ti conviene usare un darlington. Meglio un transistor, per via della minore caduta collettore-emettitore in saturazione. Oppure potresti usare, come già qualcuno ha detto, un MOSFET.

La resistenza di base su un transistor da far lavorare a emettitore comune in saturazione deve essere tale da far scorrere una corrente maggiore (almeno 2 o 3 volte, ma anche 10 volte) la corrente di collettore diviso il guadagno in corrente in zona lineare.

Nel caso di questo circuito, la corrente di collettore è di 90 mA, il guadagno in corrente del BC337 minimo garantito per correnti di collettore fino a 100 mA è 100 (vedi datasheet a pag. 2, parametro hFE1).
Quindi 90 mA/100 = 0,9 mA. La resistenza di base scelta, da 680 Ω, lascia scorrere circa 11 mA che sono molti di più di 0,9 mA, e il transistor sarà sicuramente in saturazione.

[massimo67]

grandioso era quello che cercavo !!!

scusa Guido un'ultima cosa: se in futuro decidessi di usare un alimentatore esterno sempre da 9 volt
e volessi mettere qualche led in più, se non sbaglio mantengo le resistenze da 120 hom e quale calcolo faccio per avere la resistenza di base corretta (sempre che ci sia un calcolo da fare)

grazie ancora per l'aiuto !!!

[wall87]

il calcolo della resistenza c'è nel primo articolo che ti avevo messo in [2] se lo avessi letto.


Nel caso che ti ha messo GuidoB si ha che



Questo vale per una fila di 3 led

[massimo67]

scusami ma io parlavo del calcolo della resistenza che c'è sulla base del transistor

[wall87]

ho riletto il messaggio ora e mi sono sbagliato, hai ragione, scusami
Quella non so come si calcola, sono curioso pure io. Aspettiamo Guido

[abusivo]

Allora saremmo in due ad esserci sbagliati.

Tre!

[Flamber]

Non so se ho capito bene, mati serve calcolare la resistenza vista guardano tra base del darlington e GND quando è in regione attiva diretta?

In questo caso, considerando un singolo transistor, l'impedenza sarebbe semplicemente $R_B=r_pi+R_E(beta+1)$.
Sull'emettitore del primo transistor, è collegata la base del secondo transistor, quindi, in buona approssimazione, si ha, per il darlington $R_B=r_(pi1)+[r_(pi2)+R_E(beta_2+1)]*(beta_1+1)$

Considerando che il secondo transistor è "più grande", in genere si ha $beta_1>beta_2$ anche di un ordine di grandezza.

Per segnali abbastanza piccoli, quello che c'è sul collettore non influenza l'impedenza di base.

[wall87]

Flamber lo puoi scrivere in LaTeX? se no non si capisce nulla.