@ingmarketz
L'intervallo 10%-90% l'ho citato io. E' l'intervallo sottinteso nel quale si media un valore istantaneo come lo slew-rate per avere un numero reale e non una funzione. Lo slew-rate è dV/dt, su questo credo siamo d'accordo tutti e allora o si parla di slew-rate in un preciso istante (o tensione) oppure è necessario stabilire un intervallo entro il quale eseguire la media dei valori istantanei. La scelta dei due limiti 10% e 90% è per evitare i comportamenti imprevedibili agli estremi e mediare valori più sensati.
Dopo il tuo chiarimento sull'oggetto della domanda... mi sono perso. Se stiamo parlando di MOSFET integrati, come intendi eseguire le prove? Hai un 'test bed' con transistor sparsi che puoi connettere a piacimento?
Posso però provare a rispondere alla tua domanda. Una coppia di MOSFET non è un OPA che puoi caratterizzare separatamente ad un livello di astrazione superiore rispetto al 'transistor level'. Restano comunque due transistor con un comportamento pesantemente influenzato da ciò che andrai a collegarci in ingresso, in uscita e in reazione. Non esiste allora un modo per ottenere il valore di un parametro come lo slew-rate definito per un OPA, relativo a due transistor visti come amplificatore.
Ciò da cui dovresti partire è il prodotto rise-time*bandwidth che per un sistema del primo ordine vale circa 0.35. Il massimo slew-rate che puoi ottenere dipende dalla tensione di alimentazione e dalla rete di reazione che modifica la banda e quindi il tempo di salita minimo ottenibile.
Riguardo all'ampiezza del segnale di ingresso, non ha senso parlarne se prima non viene definita l'amplificazione ad anello chiuso. Prima devi definire la 'compliance di uscita' compatibile con la massima distorsione che ammetti sul tuo segnale o sulla tua funzione di trasferimento, che è poi la stessa cosa. Poi definisci la 'compliance di ingresso' che è quella che ti fa ottenere il massimo segnale di uscita compatibile con l'amplificazione assegnata. Poi applichi un segnale quadro di quell'ampiezza e misuri lo slew-rate. Quello è il massimo che puoi ottenere da quell'amplificatore.
Nella caratterizzazione degli operazionali, dato che sono blocchi ben separabili da carico e sorgente, il massimo slew-rate è comunque definito in condizioni particolari e precisate. E' comune, per esempio, definirlo per un determinato valore differenziale di ingresso (usuali sono i 60 mV). E' ovvio che queste specifiche non possono essere applicate ad una coppia di transistor.
Se poi non ho ancora capito niente, non mi preoccupo, intanto ho ragionato su cose interessanti.
@MarcoD
tecnico professionista? Hahaha, io sono un meccanico. Sono in prestito all'elettronica da circa un anno e provo a imparare qualcosa.
Ho provato anch'io a risalire alla a(s) partendo dai dati riportati sopra, ma non c'è verso. Credo intervengano fattori di non linearità dipendenti dalla frequenza e che rendano l'impresa troppo ardua.
MarcoD ha scritto:Prova ad applicare un ingresso a onda quadra di 10 Vpp tale da saturare sempre la porta, lo slew rate dell'uscita dovrebbe essere indipendente dal guadagno.
Ho fatto le prove, ma nell'ordine:
1. 10 Vpp non sono sufficienti perché la reazione nell'amplificatore con Av = 1 è troppo invasiva e non consente di uscire dalla zona lineare.
2. Negli altri due amplificatori, il fatto che l'uscita sia caricata su due differenti resistenze di reazione influenza il comportamento dello stadio di uscita.
3. Il fatto che il tempo di salita sia stato nell'ordine 38 ns, 52 ns, 84 ns ne è la prova.
Ho disconnesso allora la reazione di uno degli amplificatori e ho provato il tempo di salita ad anello aperto del solo inverter. Apriti cielo: con ingresso pari all'alimentazione, ho ottenuto 58 ns. Riducendo l'ampiezza del segnale di ingresso e modificando l'offset si raggiungono i 28 ns.
Nel datasheet si vedono solo i due transistor, la resistenza di protezione e i diodi di shunt. A rigor di logica, per quanto di elettronica ho capito fino ad ora, un tale comportamento è giustificato dalla pesante saturazione, oltretutto asimmetrica dei due transistor. Posso ipotizzare anche qualche esoterico comportamento di capacità interne modulate dall'ampiezza dei segnali. Troppo difficile.
