Asimmetria drain/source del transistor MOSFET?

[Maranza]

Continuo a non capire. Il punto è che nel momento in cui tu colleghi il body al drain, e vuoi che tutto funzioni, il drain diventa source Essi non hanno ricevuto alcun nome di battezzo, per cui assumono un ruolo a seconda delle tensioni in gioco.

Esatto e allora ha subito ragione Ianero nella seconda risposta, l'unica differenza "fisica" sta nel fatto che il source è collegato al body ed è una conseguenza di questo che poi funzionalmente il source sia come dice IsidoroKZ:

quello che è la sorgente delle cariche, il drain quello che le drena.

Allora io allargo il discorso : S/H facile facile

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

In questo caso se il source e body fossero cortocircuitati, se Vin scende mentre il MOS non conduce è possibile che si polarizzi in diretta la giunzione pn drain source giusto?
quindi si deve usare un MOS a quattro piedini giusto con il body collegato da qualche altra parte?
e allora in quel caso source e drain proprio non avrebbero differenze e non avrebbe senso nemmeno mettere la freccetta da un lato o dal'altro o mi sbaglio?
Grazie

[Peternek]

quindi si deve usare un MOS a quattro piedini giusto con il body collegato da qualche altra parte?
e allora in quel caso source e drain proprio non avrebbero differenze e non avrebbe senso nemmeno mettere la freccetta da un lato o dal'altro o mi sbaglio?
Grazie

Anche a me interessa questo perché non capisco cosa fa il transistor con il body collegato da qualche altra parte diversa da source o drain, o magari flottante. Nei circuiti lo vedo sempre collegato al source negli nMOS.
Che poi non so se ci siano in commercio MOSFET a 4 piedini che in teoria dovrebbero essere perfettamente simmetrici e non avrebbero i piedini source e drain definiti.

[Maranza]

Comunque in teoria basterebbe mettere il Body a una tensione sicuramente più bassa di quelle che possano assumere drain e source per non polarizzare i diodi direttamente (sempre prendendo un nMOS come esempio).
A quel punto dovrebbe funzionare tutto normalmente con un diversa Vth e basta, o almeno credo

[IsidoroKZ]

Bisogna distinguere fra MOS integrati (orizzontali) e MOS discreti (verticali).

I MOS integrati sono simmetrici e il substrato non e` collegato a nessun elettrodo. Nei MOS N il substrato e` al potenziale piu` negativo disponibile, e se a questo stesso potenziale e` anche collegato un source, allora source e substrato sono collegati insieme ma solo per motivi accidentali. Il MOS e` totalmente simmetrico, la distinzione fra source e drain e` solo data dai loro potenziali.

Il discorso e` diverso invece nei MOS verticali, quelli discreti. In questo caso la costruzione e` completamente diversa, l'elettrodo che viene fuori vicino all'ossido di gate deve essere il source, dato che l'ossido non tiene tensioni troppo elevate, il drain e` "di sotto" con una zona poco drogata, e salta fuori un diodo parassita fra source e drain che di fatto impedisce l'uso a rovescio del MOS.

O per meglio dire questo diodo rende il MOS bidirezionale in corrente e unidirezionale in tensione. La figura dopo e` di un MOS verticale (discreto).

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