Quiz, esercizio, esperimento transistor

[GioArca67]

(*) a collettore aperto non credo abbia senso dire che la giunzione è polarizzata direttamente.

Togli il credo.

[gvee]

La tensione Veb di breakdown misurata è circa 9.75 V (mV più, mV meno), ie = ib = 2.35 mA circa (mA più, mA meno) che tornano con un analisi di un circuito equivalente.

2N3904.

[EnChamade]

In realtà, come ha detto giustamente GioArca67, la risposta mi sembrava che era già stata data. Il problema del modello equivalente invece non è così banale. Onestamente non so nemmeno se abbia senso farlo. Tuttavia, se vogliamo buttar qualcosa come esercizio mentale, io farei così.

Possiamo iniziare a ragionare dalla fine, ossia dalla giunzione base-collettore che raccoglie un flusso di fotoni e ne assorbe una parte creando coppie elettrone-lacuna che vengono poi separate dal potenziale interno se queste si formano della regione di carica spaziale. In questo caso, direi che la corrente che scorre in questa giunzione è data da

dove la corrente fotoindotta è

con che è la probabilità che un fotone venga assorbito e formi una coppia elettrone-lacuna e è il flusso di fotoni che arriva nella regione di carica spaziale della giunzione. Per semplificarci, assumiamo che il parametro riassuma anche tutti gli effetti geometrici e sia integrato sull'energia dei fotoni (lunghezze d'onda). E' quindi un parametro medio.

Ora, il flusso di fotoni proviene da una giunzione posta in break-down (la emettitore-base). Il flusso di fotoni emesso sarà proporzionale alla popolazione di coppie elettrone-lacuna per la probabilità di avere una ricombinazione di tipo radiativo. Se assumiamo che questa popolazione sia proporzionale alla corrente che scorre nella giunzione in break-down (cosa di cui non ne sarei sicuro) possiamo dire che questa è proporzionale alla corrente che scorre nella giunzione in break-down e quindi

dove è di fatto la probabilità che la popolazione di coppie elettrone-lacuna presenti quando scorre una corrente emetta un fotone. Ora, assumendo modelli a tratti, la giunzione in break-down può essere descritta tramite un generatore ideale con caduta pari alla tensione di break-down in serie ad una resistenza che chiamiamo . La giunzione che raccoglie i fotoni la possiamo descrivere con il modello del diodo sottosoglia con l'aggiunta di un generatore di corrente pilotato dalla corrente della giunzione in breack-down (). Abbiamo quindi

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

Poi in parallelo a collettore-base ci va l'impedenza d'ingresso del volmetro.
Cosa dite?

[GioArca67]

La tensione Veb di breakdown misurata è circa 9.75 V (mV più, mV meno), ie = ib = 2.35 mA circa (mA più, mA meno) che tornano con un analisi di un circuito equivalente.

2N3904.

Grazie, interessante.
Vebo è di 6V minimo anche per il 2N3904, quindi c'è un bel po' di margine.

[GioArca67]

.
Cosa dite?

Non male, ma cosa modella il generetore di corrente indipendente Is?
In effetti se così fosse vi sarebbe sempre una Vbc=Is*Rs

[EdmondDantes]

n effetti se così fosse vi sarebbe sempre una Vbc=Is*Rs

A prescindere dalla correttezza o meno del modello, il sempre non e' corretto.

[GioArca67]

Perché?

[gvee]

la risposta mi sembrava che era già stata data.

Sì ma non mi andava di aprire il transistore !
Poi io sono duro di coccio, ci voglio arrivare per conto mio.

[Etemenanki]

Ma funzionera' anche con quelli in TO92 ? ... perche' non e' semplice aprirli per controllare

[EnChamade]

Non male, ma cosa modella il generetore di corrente indipendente Is?

Quel generatore di corrente rappresenta la corrente normale del diodo che ho assunto per semplicità essere . In realtà questo non è vero. Il valore andrebbe calcolato secondo la relazione di Shockley, e quindi la chiamiamo . La vera svista stava nel verso del generatore, che andava girato. Ho corretto il modello anche nel post sopra.

Ma funzionera' anche con quelli in TO92 ?

Si, provato con un BC547.

Sì ma non mi andava di aprire il transistore !

Si, ma le foto di elfo mi sembravano chiare.

EDIT: dopo averci riflettuto, ho cambiato la risposta relativa al modello.