circuito con diodo parallelo a zener

[Roswell1947]

Ma non esiste un metodo step by step standard più semplice per analizzare questa tipologia di circuiti?visto che ci sono due diodi di cui uno zener allora le possibilità sono :per il diodo D1 polarizzazione diretta ed inversa mentre per quello zener D2 le possibilità sono :polarizzazione diretta, breakdown ed inversa o sbaglio?p.es assumo che D1 sia on mentre quello D2 sia off e mi trovo una Vo che si verifica solo per un determinato valore di Vi e poi considero le altre combinazioni.Sbaglio?

[RenzoDF]

Scusa, ma cosa c'è di più "step by step" di considerare una progressiva salita dell'ingresso (e la sucessiva discesa), per andare ad analizzare come si comporteranno in quella sequenza di incrementi (decrementi) i due diodi

[MarcoD]

Ho fatto prima a scarabocchiarlo che a descriverlo. Ci voleva tanto?

[Roswell1947]

Quindi per -2.3 V<Vo<0.7 V entrambi i diodi sono polarizzati inversamente e quindi vo=Vi mentre per Vo>0.7 D1 conduce quindi Vo=0.7 e per Vo<-2.3 D2 va in breakdown (zener) e Vo=-2.3V giusto?

[MarcoD]

Giusto. L'esercizio parla di 0,6 V invece che 0,7 V, non mi ricordo quale valore per convenzione si applica al diodo e quale al transistor al silicio.

[GioArca67]

mentre per Vo>0.7 D1 conduce quindi Vo=0.7

No, non giusto.

D1 è collegato a +2V non al riferimento: è un circuito di clamping a +2V, per cui per Vo>0,7 è D2 che conduce, mentre D1 ancora non può: esplica la sua azione di tosare l'uscita solo per Vo>2,7V, per Vo <2,7V non agisce. E non lo potrà mai fare visto che D2 tosa a 0,7V l'uscita.

Nello schema proposto D1 è del tutto ininfluente sull'uscita: se lo togli nulla cambia.

Quando Vo scende sotto -2,3V D2 è in zona di breakdown, come hai correttamente intuito, e l'uscita è bloccata a -2,3V.
Il disegno di MarcoD è corretto.

Quando Vo sale sopra 0,7V la corrente nello zener è limitata da R e vale (Vin-0,7)/1k, quindi max 7,3mA.

Lo step by step cui ti riferisci è la linearizzazione a tratti dei diodi, fai una supposizione sullo stato del diodo, sostituisci il modello linearizzato, fai i conti e verifichi che la condizione sia rispettata: es effettivamente ai capi del diodo ci sono meno di 0,7V diretti, se lo avevi supposto spento, o la corrente scorre nel verso giusto, se lo avevi considerato in conduzione.
Se lo supponi nello stato errato vedrai che il circuito equivalente non si comporta che ti aspetti.
Esempio. Segui l'indicazione di RenzoDF e fai salire Vin da 0 verso 8V.
Ci troviamo a Vin = 0,5V, supponi D1 ON e D2 OFF, metti il modello (un filo o una batteria da 0,7V a seconda della precisione che vuoi), esamini la maglia GND, Vin, R, D1, 2V, GND
0,5 = R I + 0,7 + 2
R I = -2,2 -> I = -2,2/1k
Ma se I è negativa allora è opposta al verso scelto e quindi scorre verso Vin, ma una tale corrente non potrebbe fluire attraverso D1, quindi la supposizione D1 ON per Vin=0,5V era sbagliata.

[GioArca67]

L'esercizio parla di 0,6 V invece che 0,7 V, non mi ricordo quale valore per convenzione si applica al diodo e quale al transistor al silicio.

Più che altro abitudini.
Se i materiali sono gli stessi ed i drogaggi similari, le giunzioni pure e la barriera anche.
Per il BJT in silicio, semmai volessi essere più preciso con i modelli per grandi segnali, potresti usare VBE=0,8V quando è in saturazione.

Sono comunque modelli piuttosto "rozzi", quindi la differenza fra l'uso dell'una o dell'altra soglia è del tutto non significativa.