Interruttore PWM con mosfet o igbt

[BrunoValente]

Piuttosto andrebbe previsto un resistore in parallelo tra G e S, altrimenti il tempo di apertura del mosfet sarebbe davvero biblico

Da quello che vedo, il VOM1271 ha un circuito interno che si occupa di spegnere rapidamente il FET.

Boiler

Vero: non conoscevo il vom1271, credevo fosse simile al TLP190B con cui ho avuto a che fare.

[stefanopc]

La valutazione della SOA è in effetti molto interessante.
Sono andato a vedere anche il transistor Igbt che sto utilizzando attualmente e in questo caso il componente è brutalmente fuori dal limite.
Ciao

[Etemenanki]

Considerate anche che quelle valutazioni, ed i relativi grafici, sono di solito (se non specificato diversamente sul datasheet) fatte con il componente non collegato ad un dissipatore (o nel caso opposto e' in genere indicata la temperatura, il che significa componente mantenuto a quellla temperatura da adeguato sistema di dissipazione), bisogna considerare anche quello, se si progetta da zero.

Cosi come serve considerare che se si usano due mosfet parallelati invece che uno solo, la caduta di tensione si suddivide fra i due, la RdsON complessiva dimezza, la corrente si divide anch'essa per due, e la dissipazione di potenza di ogni componente diventa un quarto del singolo

[SandroCalligaro]

Sono d'accordo, in realtà le indicazioni nel datasheet ci sono, solo che bisogna "studiare" bene.

Cosi come serve considerare che se si usano due mosfet parallelati invece che uno solo, la caduta di tensione si suddivide fra i due, la RdsON complessiva dimezza, la corrente si divide anch'essa per due, e la dissipazione di potenza di ogni componente diventa un quarto del singolo

Avevo già tenuto conto del parallelo di 2 MOSFET.
Bisognerebbe però tener conto della dispersione del parametro RdsON, oltre che delle differenze tra i due driver, per cui alla fine toccherà prendersi un po' di margine.

[stefanopc]

Considerate anche che quelle valutazioni, ed i relativi grafici, sono di solito (se non specificato diversamente sul datasheet) fatte con il componente non collegato ad un dissipatore...

Nel caso invece venga impiegato un adeguato dissipatore ( ad esempio con Rd 1°C/W) come cambia l'interpretazione della SOA.
Sembra un po' lacunosa la manualistica sotto questo aspetto.
Ciao

[Etemenanki]

Dovrebbero esserci altri grafici (di solito ci sono) che mostrano i cambiamenti delle principali caratteristiche a diverse temperature, usando quelli si puo approssimare una SOA differente a temperature piu alte.

[lelerelele]

Cosi come serve considerare che se si usano due mosfet parallelati invece che uno solo, la caduta di tensione si suddivide fra i due.....

Due mosfet in parallelo, la tensione si dimezza?
mi sono perso qualcosa?

saluti.

[SandroCalligaro]

In effetti, potrebbe sembrare sbagliato, ma non lo è.
La resistenza equivalente si dimezza, quindi anche la tensione (in conduzione).

[lelerelele]

In effetti, potrebbe sembrare sbagliato, ma non lo è.
La resistenza equivalente si dimezza, quindi anche la tensione (in conduzione).

ah, ecco, vedi che mi ero perso qualcosa, si, ovvio in saturazione si avrà una tensione minore di caduta.

Ero rimasto ad un pilotaggio in lineare, con i VOM1271, almeno penso lo sia in lineare.

saluti.

[BrunoValente]

Ero rimasto ad un pilotaggio in lineare, con i VOM1271, almeno penso lo sia in lineare.

E perché mai dovrebbe esserlo?