Interruttore PWM con mosfet o igbt

[lelerelele]

Ero rimasto ad un pilotaggio in lineare, con i VOM1271, almeno penso lo sia in lineare.

E perché mai dovrebbe esserlo?

Gia.

[SandroCalligaro]

Ma scusate, la "regione lineare" del MOSFET non è quella con comportamento resistivo?

[stefanopc]

Due mosfet in parallelo, la tensione si dimezza?
mi sono perso qualcosa?
saluti.

Anche la potenza dissipata Complessivamente si dimezza.
Mentre la potenza sul singolo dispositivo diventa un quarto.
Meno il mosfet si scalda meno la RdsOn aumenta.
Se il coefficiente di temperatura è positivo.
Ciao

[Etemenanki]

> SandroCalligaro :

Il mosfet ha sempre un comportamento resistivo ... semplificando al massimo, puoi immaginarlo come una resistenza variabile il cui valore dipende dalla tensione presente sul gate.

Di solito per "regione lineare" (oppure "zona di lavoro lineare", dipende da chi scrive) si intende la parte della zona di lavoro nella quale la resistenza cambia in modo lineare (o semilineare) in funzione della tensione di gate, prima che la stessa porti il mosfet in piena conduzione, cioe' in pratica al suo minimo valore resistivo possibile (RdsON), ed e' quella che viene considerata quando si usano i mosfet come, ad esempio, amplificatori audio o simili (posto anche che in questi casi NON si usano mosfet progettati per essere usati come interruttori, ma altri tipi di mosfet con curve di conduzione diverse).

Scusa se e' semplificata come spiegazione, ma i mosfet non sono proprio componenti "semplici", anche se siamo abituati ad usarli in modo "semplice" come interruttori, e per trattarne in modo completo tutte le caratteristiche e possibilita' non credo basterebbero i caratteri ammessi per un post

[Etemenanki]

... non trovo molte informazioni su questo, nel datasheet....

Sembra che lo considerino un segreto militare ... fondamentalmente si tratta di un fet ed una resistenza, lo stesso tipo di circuito suggerito in un vecchio datasheet per realizzare dei rele' a mosfet usando i fotoaccoppiatori galvanici che non avevano circuiti di "turn-off" interni, solo che nel caso di quelli che incorporano il "turn off", li hanno integrati all'interno.

Per aumentare la velocita' di "turn-on" invece (senza usare un'alimentazione secondaria dal lato mosfet), purtroppo si puo solo scegliere componenti con corrente di uscita il piu alta possibile, e parallelare piu uscite.

[SandroCalligaro]

Etemenanki, mi sono espresso poco chiaramente...
Ho un'idea di come si comporta il MOSFET (altrimenti non mi sarei permesso di parlare di SOA ecc. ), ma da quello che avete detto sembrerebbe che il MOSFET non si porti in regione lineare, in questa applicazione...

Volevo quindi chiarire, per evitare confusione tra funzionamento "come regolatore lineare" e funzionamento nella regione lineare del MOSFET.
A me (e, se mi ricordo bene, anche a chi mi introdusse il MOSFET, ormai parecchi anni fa) pare che la regione lineare comprenda anche quello che consideriamo lo stato di ON, cioè di resistenza (il più possibile) bassa. Mi pare di capire che alcuni fanno corrispondere "triodo" a "lineare", mentre altri distinguono, nella regione "triodo", una regione lineare ed una sub-lineare (ad es. https://www.docenti.unina.it/webdocenti-be/allegati/materiale-didattico/34215693).
In ogni caso, in applicazioni switching, la tensione Vds in stato ON è (o dovrebbe essere) molto bassa e praticamente proporzionale alla corrente.

(un esempio di caratteristiche semplificate, da Wikipedia)

[SandroCalligaro]

Ora che ho guardato di nuovo il datasheet, mi chiedo...
Vi torna la RdsON dichiarata (anche quella massima, 150 mOhm), con la figura 4? A me no!
https://www.st.com/en/power-transistors/stf28n60m2.html

[SandroCalligaro]

Etemenanki, grazie per lo schema che hai postato in [35].
Magari era ovvio, per qualcuno, ma rimane strano che sembri un segreto, nel datasheet.

[BrunoValente]

Ora che ho guardato di nuovo il datasheet, mi chiedo...
Vi torna la RdsON dichiarata (anche quella massima, 150 mOhm), con la figura 4? A me no!
https://www.st.com/en/power-transistors/stf28n60m2.html

Stai tenendo conto dell'incremento che subisce la Ron all'aumentare della temperatura?

La fig.4 considera una temperatura di giunzione di 150°C dove la Ron incrementa di circa 2.5 volte rispetto a quando è a 25°C (vedi fig.11), quindi a150°C la Ron dovrebbe portarsi dalle parti di 0.375ohm e mi pare corrisponda a quanto riportato nel grafico di fig.4

[stefanopc]

Secondo me nella figura 5 si vede abbastanza chiaramente la zona di funzionamento lineare.
Da manuale ST
https://www.st.com/en/power-transistors/stf28n60m2.html
Ciao