Cos'è ElectroYou | Login Iscriviti

ElectroYou - la comunità dei professionisti del mondo elettrico

dimensionamento amplificatore MOSFET a source comune

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

Moderatori: Foto Utentecarloc, Foto UtenteDirtyDeeds, Foto UtenteIsidoroKZ, Foto Utenteg.schgor, Foto UtenteBrunoValente

0
voti

[1] dimensionamento amplificatore MOSFET a source comune

Messaggioda Foto Utentedavide940 » 5 mag 2012, 18:05

devo fare un semplice amplificatore a source comune.
la prima cosa da fare è definire un punto di lavoro.
ora la mia domanda è: se il mio MOSFET quando vi sono 4 volt tra gate e source mi fornisce ad esempio 500 mA io devo per forza usare questa corrente di drain nel dimensionamento delle varie resistenze oppure posso dimensionare usando una corrente più bassa ad esempio 10 mA, ovviamente a parità di volt gate source?
Avatar utente
Foto Utentedavide940
0 2
 
Messaggi: 7
Iscritto il: 5 mag 2012, 17:57

0
voti

[2] Re: dimensionamento amplificatore MOSFET a source comune

Messaggioda Foto Utentesimo85 » 5 mag 2012, 18:32

Il punto Q lo stabilisci tu, secondo i parametri necessari al fine che il tuo amplificatore lavori come deve lavorare. Ovviamente, se cambia l'intensità di corrrente, cambiano anche i valori delle resistenze.
Avatar utente
Foto Utentesimo85
30,8k 7 12 13
Disattivato su sua richiesta
 
Messaggi: 9930
Iscritto il: 30 ago 2010, 4:59

0
voti

[3] Re: dimensionamento amplificatore MOSFET a source comune

Messaggioda Foto Utentedavide940 » 5 mag 2012, 18:47

La mia domanda principalmente è: se io voglio una corrente di drain di 10mA devo per forza impostare un volt gate source che mi dia questa corrente oppure posso mettere un tensione superiore e poi limitare la corrente calcolando e valori di resistenze di drain e source?
Avatar utente
Foto Utentedavide940
0 2
 
Messaggi: 7
Iscritto il: 5 mag 2012, 17:57

0
voti

[4] Re: dimensionamento amplificatore MOSFET a source comune

Messaggioda Foto Utenteangelsanct » 5 mag 2012, 19:04

Beh supponendo che lavori in regione di saturazione e trascurando l'effetto di modulazione del canale la corrente che scorre è:
I_{d}=\frac{\mu _{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}\left ( V_{GS}-V_{th} \right )^2
Quindi vedi che se fisso i parametri determinati dalla tecnologia del MOSFET, al variare di V_{GS} varia anche I_{d}.
Se complichiamo leggermente il modello introducendo un fattore che modellizza la modulazione del canale:
I_{d}=\frac{\mu _{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}\left ( V_{GS}-V_{th} \right )^2\left ( 1+\lambda V_{DS} \right )
La corrente allora cambia, anche se di poco, rispetto alla caduta V_{DS}
Avatar utente
Foto Utenteangelsanct
196 1 5
Frequentatore
Frequentatore
 
Messaggi: 112
Iscritto il: 30 lug 2011, 21:46


Torna a Elettronica generale

Chi c’è in linea

Visitano il forum: Nessuno e 30 ospiti