ElectroYou - la comunità dei professionisti del mondo elettrico

da **paky94** » 3 set 2018, 16:39

Ciao a tutti e buon inizio settimana. Qualcuno potrebbe, gentilmente, aiutarmi ad eliminare i dubbi su questo esercizio?
Grazie in anticipo!

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

1. Calcolare le resistenze $R_{G_1}$ , $R_{G_2}$ , R_D

affinchè

(imponi $R_{G_1}+R_{G_2}=110k\Omega$ ), V_D=6.72V

2. Calcolare il punto di lavoro statico del BJT
3. Calcolare il guadagno in frequenza alle medie frequenze
4. Calcolare la frequenza di taglio superiore

PRIMO PUNTO

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LKT alla maglia di uscita -> $R_D=\frac{V_{DD}-V_D}{I_D}$
Dall'equazione della corrente in regione di Pinch-off $I_D=k(V_{GS}-V_{TH})^2$ ricavo $V_{GS}$

Applico il partitore di tensione ed ottendo:
$V_G=V_{DD} \frac{R_{G_2}}{R_{G_1}+R_{G_2}}$
Avendo a disposizione la somma delle due resistenze di gate, da quest'ultima relazione ricavo $R_{G_2}$ e poi, per differenza, ottengo anche $R_{G_1}$ .

SECONDO PUNTO
Parto dal circuito sotto

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LKT alla maglia di ingresso: $V_{CC}=R_B I_B+V_{BE}+R_E I_C$ dalla quale ottengo I_B

e quindi la corrente I_C

.

LKT alla maglia di uscita: ottengo $V_{CE}$

TERZO PUNTO
$g_{m_1}=g_{m_{MOS}}$
$g_{m_2}=g_{m_{BJT}}$

Il circuito equivalente a piccolo segnale, alle medie frequenze, è il seguente

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

Essendo un multi-stadio, calcolo la $R_{IN_2}$ ed, essendo il secondo stadio un CB posso dire che $R_{IN_2}=\frac{1}{g_{m_{MOS}}}$

Vado a calcolare il guadagno del primo stadio ed utilizzo il seguente circuito:

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

Da questo trovo che:
$v_{o_1}=-g_{m_{MOS}} v_{gs} R_D \parallel\ R_{IN_2}$

$v_{gs}=v_s \frac{R_G}{R_G+R_{GEN}}$

$A_{v_1}=\frac{v_{o_1}}{v_{gs}}$

Per il guadagno del secondo stadio uso questo circuito

Sorgente FidoCadJ | Ingrandisci | Cos'è Fidocad

In questo circuito risulta:
$v_{o_2}=-g_{m_{BJT}} v_{\pi} R_C \parallel\ R_L$
$v_{o_1}=-v_{\pi}$

$A_{v_2}=\frac{v_{o_2}}{v_{o_1}}$

da **DrCox** » 4 set 2018, 15:23

Innanzitutto:

qui vedo una massa collegata alla base del BJT:

paky94 ha scritto:

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e qui non la vedo più:

paky94 ha scritto:

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da **paky94** » 4 set 2018, 17:04

Ok, hai ragione :lol:

Questo vuol dire che nel modello equivalente a piccolo segnale, alle medie frequenze, la resistenza R_B

non sarà presente: giusto?

da **DrCox** » 17 set 2018, 15:46

paky94 ha scritto:Questo vuol dire che nel modello equivalente a piccolo segnale, alle medie frequenze, la resistenza non sarà presente: giusto?

Dipende da quale dei due schemi è giusto! Non ho capito se quel collegamento a massa c'è o non c'è, l'errore sta nel primo o nel secondo schema?
Io un'idea ce l'ho. Facciamo finta che sia giusto che ci sia: a cosa servirebbe quella resistenza in tal caso?

da **MarcoD** » 17 set 2018, 16:14

2. Calcolare il punto di lavoro statico del BJT

Sono FET non BJT :?:

Vn coincide con VDD ??

Che senso ha fornire solo qualche valore numerico: se non sono tutti presenti il risultato resta indeterminato.

Non dipende da ter, ma a cosa serve il circuito ? :
uno stadio a source comune con uscita sul drain a media impedenza, seguito da uno stadio a base comune
che amplifica se l'impedenza di pilotaggio è bassa rispetto quella sul collettore.

LKT alla maglia di uscita -> R_D=\frac{V_{DD}-V_D}{I_D}
Dall'equazione della corrente in regione di Pinch-off I_D=k(V_{GS}-V_{TH})^2 ricavo V_{GS}

Applico il partitore di tensione ed ottendo:
V_G=V_{DD} \frac{R_{G_2}}{R_{G_1}+R_{G_2}}
Avendo a disposizione la somma delle due resistenze di gate, da quest'ultima relazione ricavo R_{G_2} e poi, per differenza, ottengo anche R_{G_1}.

Non ho seguito tutti calcoli, ma mi pare che nei calcoli del punto di lavoro del primo stadio manchi R_S la resistenza fra S e massa del primo stadio: provoca una caduta di tensione per cui V_G è diversa da V_GS.
O_/

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