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da **lion989** » 6 nov 2011, 15:08

ahah scusa, pensavo non riuscissi a leggerle, se vuoi te le riscrivo!!! :)

DirtyDeeds ha scritto:Il valore di transconduttanza dato dal data sheet è valido per un certo valore della tensione di overdrive $V_\text{GS}-V_\text{T}$ che il costruttore non specifica. Tu lavori in altre condizioni, quindi per te
l'equazione

$\mu_n C_\text{ox}\frac{W}{L}(V_\text{GS}-V_\text{T}) = 21\,\text{S}$ (la S di siemens va maiuscola, altrimenti è secondo)

NON è valida.

ma che co******* è sto costruttore?? Scusate!!

Quindi non posso risolverla analiticamente?Devo considerare un valore di $V_{GS}$ abbastanza grande?

DirtyDeeds ha scritto:
g.schgor ha scritto:Vediamo di capirci: per funzionamento a triodo intendi che con la tensione
di Gate puoi controllare la corrente di Drain?

No, g.schgor, la zona triodo è quella in cui il mosfet funziona da resistore variabile: è detta anche zona ohmica. In tale regione si ha $V_\text{DS} < V_\text{GS}-V_\text{T}$ .

quindi la zona triodo è valida per il valore che ho mostrato sul grafico?

da **g.schgor** » 6 nov 2011, 16:32

Ne prendo atto. ma perché allora chiamarla "zona triodo"
(quando sarebbe più appropriato "zona diodo") ?

da **DirtyDeeds** » 6 nov 2011, 20:49

Ripensadoci su, forse una strada c'è. Invece di scrivere la transconduttanza in funzione di $V_\text{GS}-V_\text{T}$ , scriviamola in funzione di $I_\text{D}$ . Poiché

$I_\text{D} = K(V_\text{GS}-V_\text{T})^2$

da

$g_\text{m} = 2 K(V_\text{GS}-V_\text{T})$

si ha anche

$g_\text{m} = 2\sqrt{K I_\text{D}}$

Nota $g_\text{m}$ per un certo valore di $I_\text{D}$ , si può determinare

:

$K = \frac{g_\text{m}^2}{4I_\text{D}}$

Poiché il data sheet specifica $g_\text{m} > 21\,\text{S}$ per $I_\text{D} = 25\,\text{A}$ , si ha $K > 4{,}4\,\text{A/V}^2$ .

Come detto, volendo che il mosfet lavori in zona triodo si dovrà avere

$K(V_\text{GS}-V_\text{T})^2 > 0{,}2\,\text{A}$

ovvero

$V_\text{GS}-V_\text{T} > \sqrt{\frac{0{,}2\,\text{A}}{K}}\approx 0{,}2\,\text{V}$

Poiché $V_\text{T(max)}\approx 2\,\text{V}$ basta imporre una $V_\text{GS}$ di poco superiore ai 2 V per lavorare nella zona voluta.