Resistor box

[Heavy]

Quella corrente dovrebbe essere principalmente dovuta alla corrente di saturazione inversa del diodo DS

Anch'io inizialmente credevo fosse quella la natura della corrente di leakage in quel mosfet, ma se così fosse, la stessa sarebbe indipendente dalla tensione di drain (eq. di Shockley). La corrente invece è fortemente dipendente dalla tensione applicata, sintomo (mi pare) di Subthreshold Leakage. Cercando sull'argomento si trova una valanga di informazioni, ma tutte relative ai mosfet a canale corto, nulla su quelli a tensione elevata. Se qualcuno avesse documentazione sarebbe molto utile.
Nel lavoro da fare per limitare la corrente di fuga (e la RDSon), il drive del gate ha molta importanza. Portare il gate leggermente negativo in condizione di off (magari creando un GND rialzato rispetto al riferimento della parte digitale) potrebbe portare notevoli miglioramenti. La figura che segue mostra che la dipendenza dalla temperatura della corrente di leakage per le tensioni subthreshold diminuisce se il gate è qualche frazione di volt sotto il source.

A noi interessa proprio limitare la dipendenza da T, più che il valore assoluto della corrente, quindi... Il problama è che il diagramma è relativo a un mosfet microscopico (basta vedere la tensione di soglia) e non ho trovato l'equivalente diagramma per mosfet più corposi, tipo il BSS123. Si può stimare un comportamento simile?

[BrunoValente]

Scusa Heavy, non ho letto proprio tutto, correggimi se ho capito male, vorresti costruire un resistore variabile commutando un certo numero di resistori fissi in parallelo utilizzando dei mosfet, giusto?

Hai tenuto conto delle capacità parassite? Se ti occorre generare una rampa veloce per fare delle acquisizioni temo che il rumore di commutazione non sia trascurabile.

Tempo fa provai a realizzare un potenziometro audio basato su questo principio e gli spifferi erano udibili e visibilissimi all'oscilloscopio.

Gli interruttori erano realizzati con delle coppie di BS170 collegate in anti-serie per lavorare su 4 quadranti.

Nel tuo caso le capacità parassite sarebbero più piccole ma se dici che il tempo di assestamento dei reed è un problema, non credi che potrebbero esserlo anche le capacità parassite?

[Heavy]

Per BrunoValente: (sì, giusto) le capacità parassite non dovrebbero essere un problema. Forse aiuterebbero anche. Avevo già scritto prima riguardo a questo punto calcolando che se un mosfet ha 15 pF di capacità di uscita, anche 15 in parallelo fanno meno capacità di quanta ne faccia il cavo che avrebbe collegato l'NTC che andiamo a emulare. Sul rumore di commutazione, i tempi di un mosfet sono decine di migliaia di volte inferiori ad un relè e credo si possa anche mettere un bella capacità da qualche centinaio di pF in parallelo all'uscita (emulazione del cavo) che dovrebbe ridurre drasticamente tutto. Il vero problema del relè è che ci sono dei passaggi da un codice all'altro che lascerebbero il circuito aperto per millisecondi. Molto diverso. Per il tuo caso audio, ti capisco: una volta tentai anch'io di fare un potenziometro digitale ottenendo invece una mitragliatrice. Me ne ricordo ancora perché è uno dei pochi progetti che non portai a termine.

[DirtyDeeds]

Si può stimare un comportamento simile?

Non lo so, ma non mi fiderei, meglio fare una misurazione. Però mi chiedo: perché ti sei proprio fissato con il BS123? Diversi interruttori analogici integrati hanno caratteristiche migliori, sia per ciò che riguarda il leakage che per ciò che riguarda la rds(on).

[Heavy]

Diversi interruttori analogici integrati hanno caratteristiche migliori, sia per ciò che riguarda il leakage che per ciò che riguarda la rds(on).

[BrunoValente]

Immagino che utilizzando i relè il problema del buco sia maggiormente sentito quando si attraversano valori per i quali occorrono molte commutazioni contemporanee (es. 01111-10000).
Non potrebbe essere di aiuto il codice Gray?

[DirtyDeeds]

Non potrebbe essere di aiuto il codice Gray?

Potrebbe, ma non mi vengono in mente reti resistive che permetterebbero di utilizzarlo (non c'ho pensato molto, però). Per i convertitori D/A ci dovrebbero essere delle reti che permettano l'utilizzo della codifica Gray, ma temo siano brevettate.

[BrunoValente]

Non potrebbe essere di aiuto il codice Gray?

Potrebbe, ma non mi vengono in mente reti resistive che permetterebbero di utilizzarlo (non c'ho pensato molto, però).

E' vero, non vengono in mente neanche a me..mi sa che ho detto una scemenza.

[Heavy]

L'uovo di colombo di DirtyDeeds sembra aver risolto brillantemente (peccato ci sia un solo voto positivo...). Lo ADG701L della AD ha 4 ohm max e 0.35 nA max da -40 a +85 °C. Cosa volere di più? Grazie!

[DirtyDeeds]

Cosa volere di più?

Controlla a partire dal grafico dell'off-isolation quanto ti puoi aspettare di resistenza off (v. [50]).

E' vero, non vengono in mente neanche a me..mi sa che ho detto una scemenza.

La fregatura del codice Gray è che non è posizionale. Può darsi che una rete si riesca a trovare, però con molti più relè e resistenze del numero di bit.