ElectroYou - la comunità dei professionisti del mondo elettrico

da **DirtyDeeds** » 23 apr 2014, 15:00

obiuan ha scritto:In ogni caso, non è definibile una tensione precisa in cui un transistor si trova in una zona piuttosto che in un'altra

Le zone sono definite dalle tensioni tra le giunzioni: se $V_\text{BE}>0$ e $V_\text{CB}<0$ , il transistor è in saturazione. Tenendo conto che $I_\text{E} = I_\text{C}$ (perché $\alpha = 1$ ) si ha

$V_\text{CB} = V_\text{CC}- R_\text{C}I_\text{E} -V_\text{B}= V_\text{CC}- R_\text{C}I_\text{E}-V_\text{B}$

Ma

$I_\text{E} = \frac{V_\text{B}-V_\text{BE}}{R_\text{E}}$

da cui, sostituendo e imponendo $V_\text{CB} = 0$ , si ottiene

$V_\text{B} = \frac{V_\text{CC}+\dfrac{R_\text{C}}{R_\text{E}}V_\text{BE}}{1+\dfrac{R_\text{C}}{R_\text{E}}}$

Sostituendo i valori e assumendo $V_\text{BE}\approx 0{,}7\,\text{V}$ si ottiene il risultato.

da **banjoman** » 23 apr 2014, 15:21

Alla fine di tutta questa discussione, il BJT nel frattempo sarà precocemente invecchiato... :mrgreen:

da **andres90** » 23 apr 2014, 15:24

banjoman ha scritto:Alla fine di tutta questa discussione, il BJT nel frattempo sarà precocemente invecchiato...

intanto, grazie a

obiuan e

DirtyDeeds per il loro contributo. intanto, ho capito i passaggi gentilmente scritti da

DirtyDeeds. Mi resta solo una perplessità sulla traccia e sul perché debba considerare come caso limite quello rispetto alla saturazione e non rispetto all'interdizione :-M

da **DirtyDeeds** » 23 apr 2014, 15:28

andres90 ha scritto:perché debba considerare come caso limite quello rispetto alla saturazione e non rispetto all'interdizion

Perché in [1] hai chiesto (nota il grassetto):

quale sia la massima tensione di base

da **obiuan** » 23 apr 2014, 15:43

DirtyDeeds ha scritto:Le zone sono definite dalle tensioni tra le giunzioni: se $V_\text{BE}>0$ e $V_\text{CB}<0$ , il transistor è in saturazione.

circa, ovviamente è una definizione teorica ma il transistor resta in zona diretta anche con Vcb leggermente negativa, da cui la solita Vcesat = (circa) 0,2.

DirtyDeeds ha scritto:Sostituendo i valori e assumendo $V_\text{BE}\approx 0{,}7\,\text{V}$ si ottiene il risultato.

appunto...assumendo Vbe circa 0,7, che significa che non esiste separazione netta fra le due zone (intendevo questo).

da **DirtyDeeds** » 23 apr 2014, 15:49

obiuan ha scritto:ma il transistor resta in zona diretta anche con Vcb leggermente negativa

Sorry, errore mio, dovevo scrivere $V_\text{CB}<0$ per la saturazione. Se $V_\text{CB}<0$ il transistor è in saturazione, in zona attiva diretta deve essere $V_\text{CB}>0$ . Mo' correggo.

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BJT in zona attiva diretta

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