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Informazioni dimensionamento transistor

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[1] Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto Utentedadothebest » 27 giu 2016, 16:17

Salve, tra qualche giorno ho l'esame di elettronica e sto cercando di togliermi alcuni dubbi.
Ho un circuito di polarizzazione tipo il seguente:

Circuito equivalente:

Sono giuste le seguenti formule?
Veq=\frac{VccR2}{R1+R2}
Req=\frac{R2R1}{R1+R2}
Veq=ReqIb+Vbe+Re(1+\beta )Ib
Ic=\beta Ic
Ie\simeq Ic
Ve=ReIe
Vb=Ve+Vbe
Vc=Vce-RcIc
Inoltre come trovo Vce e Vbe?
Grazie mille.
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[2] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto UtenteIlGuru » 27 giu 2016, 16:39

Non vedo dove prelevi la Vc, ma immaginando che sia la tensione tra collettore e riferimento
V_c=V_{ce}+R_e \times I_e oppure V_{cc} - R_c \times I_c

I_e  = (1+\beta) \times I_b \approx I_c

V_{be} quando il transistor lavora in regione attiva, vale 0.65 - 0.7 V poiché è una giunzione PN polarizzata direttamente.

V_{ce} invece va calcolata in funzione della rete di polarizzazione e delle correnti I_c e I_e oppure va imposta come parametro di progetto, e calcolata la rete di polarizzazione in funzione di questo e di altri parametri come ad esempio l'amplificazione.

La prossima volta che disegni un circuito con fidocadj, se cerchi bene ci sono i simboli del transistor, delle resistenze e delle alimentazioni, non le devi per forza disegnare tu. Ci impieghi meno tempo e fai un lavoro più leggibile :)
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[3] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto UtenteIsidoroKZ » 27 giu 2016, 23:42

dadothebest ha scritto:Ic=\beta Ic


Questo e` solo un lapsus: I_C=\beta I_B

I pedici con una sola lettera scrivili cosi` I_C mentre quelli piu` lunghi mettili fra parentesi graffe V_{CE}, il risultato e` I_C\quad V_{CE}

Ti conviene ricordare una formula utile, cosi` non la ricavi tutte le volte

I_B=\frac{V_{eq}-V_{BE}}{R_{eq}+(\beta_F+1)R_E}
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[4] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto Utentedadothebest » 28 giu 2016, 9:59

Grazie per le risposte, chiedo scusa per le formule (errori di battitura e grazie per le dritte, non le conoscevo) e il disegno ma sono alle prime armi con fidocadj.
Ora ho capito tutto ma vorrei chiedervi se queste formule posso utilizzarle per qualsiasi tipo di BJT (emettitore comune, base comune e collettore comune) e se sono applicabili anche al FET (ad esempio la corrente di base dovrebbe essere 0 nel FET? )
Perdonate le domande "stupide" ma ultimamente sto andando nel pallone.
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[5] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto UtenteIsidoroKZ » 28 giu 2016, 10:15

Se riesci ad avere il circuito equivalente sulla base e l'emettitore e` collegato al piu` con una resistenza, il transistore non sa in che configurazione e`, e quindi le formule vanno sempre bene. La cosa importante e` conoscere la rete collegata alla base e quella collegata all'emettitore.

Il FET ha un comportamento molto diverso dal BJT, tipicamente quadratico, non puoi usare le stesse formule.
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[6] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto UtenteIlGuru » 28 giu 2016, 12:23

dadothebest ha scritto:vorrei chiedervi se queste formule posso utilizzarle per qualsiasi tipo di BJT (emettitore comune, base comune e collettore comune)


Quella rete di polarizzazione è molto generale ed è sempre valida anche nei casi particolari in cui Rc vale 0 (collettore comune) o Re vale 0 (emettitore comune).
Comunque come in molti altri casi, bisogna stare attenti con le formulette "a memoria" perché quando vengono ricavate, si riferiscono sempre ad un certo contesto che poi deve essere identico a quello in cui verranno applicate.

dadothebest ha scritto: e se sono applicabili anche al FET (ad esempio la corrente di base dovrebbe essere 0 nel FET? )


Vedi risposta di IsizoroKZ
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[7] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto Utentedadothebest » 12 lug 2016, 17:50

Avrei un'altra domanda riguardante le configurazioni a collettore comune e emettitore comune. E' giusto dire che:
Per la configurazione collettore comune:




Con:
Av=\frac{hfe \cdot Re}{Rs+hie+hfe\cdot Re}
Rin= \beta \cdot Re (ALTA)
Rout=\frac{Rb}{ \beta } (BASSA)


Configurazione emettitore comune:



Con:
Av=- \frac{hie}{Rs \cdot hie}\cdot gm \cdot Rc
Rin=? (ALTA)
Rout=? (BASSA)

Chiedo scusa se i disegni sono poco chiari e dei miei (sicuramente) molti errori.
Grazie ancora.
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[8] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto UtenteIsidoroKZ » 12 lug 2016, 23:04

Nel collettore comune non ci deve essere la resistenza sul collettore (tranne in qualche caso particolare), fa solo dei danni.

Come mai nelle formule mescoli h_{fe} e \beta? O usi uno oppure l'altro, ma insieme non vanno.

L'amplificazione dovrebbe essere qualcosa del genere: A_v=\frac{(h_{fe}+1)R_e}{R_s+h_{ie}+(h_{fe}+1)R_e}

Le impedenze di ingresso e uscita dipendono anche da dove le prendi, potrebbero essere Z_i=R_s+h_{ie}+(h_{fe}+1)R_e e Z_o=\frac{R_s+h_{ie}}{h_{fe}+1}

Impara ad usare i pedici: I_C V_{CE} e` tutto quello che c'e` da sapere!
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[9] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto Utentedadothebest » 13 lug 2016, 11:28

Grazie dell'aiuto, ho usato sia hie che \beta perché le formule delle impedenze le ho trovate su internet, non le conosco. Quindi per quanto riguarda la resistenza di ingresso e di uscita in entrambi i casi (penso calcolata sulla base e all'emettitore o collettore a seconda del tipo di collegamento in comune), la formula più generale di tutte è quella che hai scritto tu?
Domanda un po' banale: il coefficiente hie ed gm dipendono dal transistor? Cosa sono nello specifico?
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[10] Re: Informazioni dimensionamento transistor

Messaggioda Foto UtenteIlGuru » 13 lug 2016, 11:44

hie è uno dei parametri ibridi, che si usano considerando il transistor come un quadripolo:
Modello_ibrido_del_transistor

gm è la transconduttanza del transistor ed è un termine differenziale:
Transconduttanza
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