Buongiorno a tutti,
prendo atto della possibilità di poter eliminare Rpulldown solitamente inserita per mantenere spento il mosfet ed avere più segnale così da poter lasciare flottante il gate senza troppi presunti rischi ( per me nuova lezione ).
Se invece, per scrupolo volessi tenerle ( in particolare quella tra uscita PWM e basi BJT ) come protezione sull'integrato?
Con questo nuovo spunto di
BrunoValente, stavo pensando se fosse possibile modificare quei valori e tenere a bada l'eventuale sfiga... perché si sa, la fortuna è cieca ma la sfortuna ci vede benissimo.
Quindi riflettevo sul fatto di abbassare i valori di Rb a 470R e Rpulldown a 33K, in questo modo Req verrebbe di 463 Ohm.
La Iout dell'integrato, sarebbe cosi di 25 mA continuativi. In questo modo sulla base dei BJT arriva il doppio della corrente ( quasi, il 77% in più ) e concettualmente dovrebbero essere commutazioni più rapide ed efficienti e meno calore disperso.
Il buffer, in questa circostanza, dovrebbe arrivare ad erogare picchi di circa 2A max ( impulsivi ma la corrente media è enormemente più bassa, circa 30 mA... quindi meno di 6 mW )
Invece, Rg 6,8 Ohm limita la corrente al gate ( 12V-Vcesat/6,8 Ohm = 1,74A )
Sono solo riflessioni in seguito a quella di BrunoValente. Non so' se siano valide e se questi valori, poi, nella pratica inficiano in altre problematiche nella commutazione dei mosfet e delle EMI.
Volevo aggiungere, che per me è interessante il discorso dello studio e realizzazione del buffer, quindi, appurato che in questo progetto possa non servire come fatto osservare da
IsidoroKZ, in maggior modo da quando si è passati dai 100 kHz iniziali ai 30 kHz attuali, vorrei comunque portarlo avanti se per voi non è un problema o una noia di troppo considerando questo blocco superficiale... mi piacerebbe almeno sullo studio.
Poi, può darsi che nella realizzazione pratica dia molte rogne e debba toglierlo... vedremo più in avanti.
Grazie