da
EnChamade » 25 ott 2013, 20:35
nyky93 ha scritto:Credo che sia più adatto il modello

in quanto posso sfruttare i valori statici delle correnti.
nyky93 ha scritto:Ancora non ho analizzato cosa accade ad alte frequenze, ma a quanto ho capito il modello a parametri ibridi è più adatto se devo utilizzare piccoli segnali, cioè aumentando le frequenze i parametri

e

dipendono dalle frequenze, e ciò dipende dal fatto che devo tener conto di effetti capacitivi che entrano in gioco nel modellizzare il transistor (almeno credo)
Non solo, i parametri

, per come sono definiti, dipendono dalla configurazione che si sta analizzando (CE, CC, CB...e nel caso in esame il pedice e sta per emitter, il terminale in comune) e, in generale, non si possono calcolare: sono quindi dati dal costruttore che li determina tramite misure. Descrivendo invece il transistor con un modello a

si può, teoricamente, calcolare o stimare tutti i parametri del modello lineare, conoscendo il punto di lavoro. Inoltre, il modello è valido a prescindere dalla configurazione in cui si trova il transistor... quindi, tanto vale usare sempre il modello a

buttando via quello a parametri

. Ci sono poi altre cose da dire, ma per non scrive cose che già si trovano nel forum, ti invito a leggere
questo intervento.
nyky93 ha scritto:credo di non aver capito qualche concetto di fondo

Non mi sembra... adesso, scrivendo Kirchhoff sulla maglia indicata in rosso e considerando le relazioni che sussitono fra le correnti di base ed emettitore, ti calcoli tutto quello che vuoi e senza trascurare gli effetti di carico sul partitore... ma come vedrai, numericamente, cambierà ben poco rispetto al primo caso (quello in cui trascuravi l'effetto di carico del partitore).
nyky93 ha scritto:
e

dovrebbero essere lo stesso identico parametro (cioè se FE sono maiuscoli)
