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Memorie ReRAM stay tuned!

Lo sviluppo dei memristori, e il know-how che si sta affinando per l'integrazione di essi in circuiti dedicati ha portato alla nascita di chip processor di nuova generazione(ancora in via sperimentale) e di memorie di nuova generazione già commercializzabili entro il 2013. Il prodotto in questione è la memoria ribattezzata ReRAM ovvero Resistive Random Access Memory, fulcro principale di tale innovazione è il Memristore e le multinazionali che si muovono in queste acque sono HP col suo partner coreano Hynix Semiconductor e la Fujitsu. Prima di introdurre le skills della nuova memoria, spolveriamo un po' la teoria sulla " creatura" di Leon Chua.

memristor-symbol

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Il memristor è definito come un componente circuitale a due terminali in cui il flusso magnetico Φm è funzione della carica elettrica q che contiene.

M è definita memristenza. Questa quantità, al contrario della resistenza elettrica, non dipende dalla corrente ma dal valore assoluto della carica. Dunque, la tensione rilevata ai capi del bipolo è data da:

V quindi dipenderà sia dalla variazione di carica che dal valore di q ad un istante immediatamente precedente, cioè dalla "storia recente" della corrente I passatemi il termine.

Le ReRAM sfrutterebbero tali capacità rendendo le memorie meno assetate di energia, meno voluminose, durature e più performanti. Numerosi sono stati i tentativi di integrazione di memristori e transistor con risultati molto soddisfacenti in termini di efficienza e soprattutto riduzione volumi e numero di transistor in un chip, considerando un singolo memristor è in grado di eseguire gli stessi compiti logici di più transistor.

In laboratorio i memristori hanno sopportato un milione di cicli di consultazione e scrittura un numero di circa 10 volte maggiore rispetto ai chip Flash in commercio attualmente in più si è constatata la capacità di realizzare Banchi di memoria la cui capacità è di 20 Gb per pollice quadro.

Grazie ai costi di produzione contenuti, alla miniaturizzazione della sua struttura nell'ordine dei 30-40 nanometri (per singolo memristore) e alle elevate prestazioni, HP,Fujitsu e Samsung sono convinti che le memorie ReRAM potranno costituire in futuro una valida alternativa ai chip Flash-NAND. In attesa di altre notizie!

Parola d'ordine sostenibilità!

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